氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究.pdfVIP

第26卷第5期 太阳能学报 v01．26．№．5 2005年lO月 ACrAENER(煳目)IAR璐SIMCA oct．2005 氮化硅薄膜对晶体硅材料和电池的钝化效果研究 龚灿锋，杨德仁，王晓泉，席珍强，汪 雷，阙端麟 (浙江大学硅材料国家重点实验摩，杭州310027) 摘要：利用等离子体增强化学气相沉积技术，在P型商拉单晶硅硅片和铸造多晶硅片以及太阳电池的表面上 沉积了非晶氮化硅(a-SiNx：H)薄膜，并研究了氮化硅薄膜对材料少子寿命和太阳电池性能的影响。研究发现： 氮化硅薄膜显著地提高了晶体硅材料中少子寿命，同时多晶硅太阳电池的开路电压有少量提高，短路电流普遍 提高了1mA，绷2，电池效率提高了2％。实验结果表明：氮化硅薄膜不仅具有表面钝化作用，也有良好的体钝化 作用。 关键词：硅；氨化硅；PEcvD；太阳电池；少子寿命 中圈分类号：1Ⅺ11-．4 文献标识码：A 艺中”j，随后得到了迅速的发展。目前，美国的Mo— O引言 bil 为了大幅度降低硅太阳电池的成本，一般以太 商已经采用了PEcvD沉积氮化硅工艺，新南威尔士 阳电池级单晶硅和各种多晶硅作为材料制备太阳电 大学(【INsw)、佐治亚理工学院的光伏研究中心 池。和集成电路用硅单晶相比，这些材料中存在着 0f (ucEPGⅡ)、德国太阳能研究中心(吲m)以及欧 大量的杂质和缺陷，这些杂质和缺陷在晶体硅的禁 洲微电子中心(IMEc)都在加紧这方面的研究，最新 带中引入深能级，显著降低了硅中的少数载流子寿 命，进而影响了太阳电池短路电流和电池转换效率。 硅薄膜作为太阳电池的减反射膜和钝化膜在15cm 因此，在晶体硅太阳电池工艺，特别是多晶硅太阳电 池工艺中引入钝化工艺显得尤其重要。 效率“1，A．H山”r等人利用氮化硅钝化双面太阳电 近年来，人们了解到氢能够以多种渠道进入晶 池的背表面，使电池效率超过了20％19。早在1997 体硅中，钝化硅中的杂质和缺陷的电活性，增加少数 载流子寿命，进而提高了开路电压和短路电流，特别 是对晶体硅太阳电池的转换效率有很好的改善m。 的能量转换率“…。 常用的引人氢的方式有以下几种：①通过使用等离 但是，很少人研究太阳电池用单晶硅硅片或其 va— 子增强化学气相淀积(Pl硼E11ll蚰cedche捌cal 太阳电池的氮化硅薄膜钝化效果。本文使用等离子 por Deposition，眦vD)淀积富氢的siNx薄膜引入 氢”o；②使用氢离子注入来钝化硅”“o；③使用射频 或者微波激发氢等离子体进行钝化”1。其中最重要 研究薄膜对材料少子寿命和电池效率的影响。作为 也最常用的是PEc、Ⅲ法沉积富氢siNx薄膜。 对比，研究了薄膜对铸造多晶硅片或其电池表面的 氮化硅薄膜首先是应用在半导体器件和集成电 钝化效果。 路的制造工艺中的…，由于有良好的光学、化学性质 1实验 和钝化能力，特别是能同时起到减反射和钝化作用， 从198】年开始，它被引入多晶硅太阳电池的制造工 收稿日期：0。0B—J00l 基金项目：国家自然科学基金项目500320lo) 万方数据 614 太 阳 能 学 报 26卷 型100cz硅片和5cIn×5clIl×300岬的铸造多晶命值。在样品沉积薄膜之前，由于测试时没有进行 硅片，在沈阳科仪中心PEcvD4∞型真空薄膜生长必要的钝化步骤以减少表面