《《材料合成与制备 第4章 薄膜制备工艺》》.pdf

第 4 章 薄膜制备工艺 4.1 所用基片及其处理方法 薄膜涂层本身不能单独作为一种材料来使用，它必须与基片结合在一起来发挥 它的作用。所以首先对基片作以介绍。 4.1.1 基片类型 4.1.1.1 玻璃基片 玻璃是一种透明的具有平滑表面的稳定性材料，可以在小于500C 的温度下使 用。玻璃的热性质和化学性质随其成分不同而有明显变化。表 4—1 列出了典型的玻 璃基片的成分。不同厂家生产的玻璃基片的精确组成有所不同。 表4.1 各种玻璃组成 /wt% 玻璃种类 SiO Na O K O CaO MgO B O Al O 2 2 2 2 3 2 3 透明石英玻璃 99.9 - - - - - - 96 ％石英玻璃 96 0.2 0.2 - - 2.9 0.4 低膨胀系数 80.5 3.8 0.4 - - - 2.2 硼硅酸盐玻璃 - - - - - - 铝代硅酸盐玻璃 55 0.6 0.4 4.7 8.5 4 22.9 铝代硼硅酸盐玻璃 74.7 6.4 0.5 0.9 BaO2.2 9.6 5.6 低碱玻璃 49.2 0.2 0.1 - - 14.5 10.9 普通玻璃板 71-73 13-15 - 8-12 1-3 - 1-2 石英玻璃在化学耐久性、耐热性和耐热冲击性方面都是最优异的。普通玻璃板 和显微镜镜片玻璃是碱石灰系玻璃，容易熔化和成型，但其膨胀系数大。可以将普 通玻璃板中的Na O 置换成 B O ，以减小其膨胀系数。硅酸盐玻璃就是这种成分代 2 2 3 换的典型产品。 4.1.1.2 陶瓷基片 (1)氧化铝基片 氧化铝是很好的耐热材料，具有优异的机械强度，而且，其介 电性能随其纯度提高而改善。基片必备的通孔、凹孔和装配各种电子器件、接头所 用的孔穴等在成型时可同时自动加工出来。外形尺寸在烧结后可以调整，而孔穴间 距在烧结后无法调整，所以要控制、减少烧结时收缩偏差量。 (2) 多层陶瓷基片 为缩短大规模集成电路组装件的延迟时间，在陶瓷基片上高 密度集成大规模集成电路的许多芯片，芯片间的布线配置于陶瓷基片内部和陶瓷片 上部。若将这些布线多层化、高密度化，则布线长度变短，延迟时间也会缩短。基 片上的多层布线常采用叠层法，包括厚膜叠层印刷法或薄膜叠层法。 1 (3)镁橄榄石基片 镁橄榄石(2MgOSiO2)具有高频下介电损耗小、绝缘电阻大 的特性，它易获得光洁表面，因此可以作为金属薄膜电阻、碳膜电阻和缠绕电阻的 基片或芯体，还可以作为晶体管基极和集成电路基片，其介电常数比氧化铝小，因 此信号传送的延迟时间短。其膨胀系数接近玻璃板和大多数金属，且随其组成发生 变化，因此它不同于氧化铝，很容易选择匹配的气密封接材料。 (4)碳化硅基片 高导热绝缘碳化硅是兼有高热导率数(25C 下为4.53W ／(mC) 13 和高电阻率(25C 下为10 cm) 的优异材料。另外，其抗弯强度和弹性系数大，热 膨胀系数 25—400C 条件下为 3.7~106 ／C，因而适于装载大型元件。碳化硅的介 电常数较大约为40 ，由于信号延迟时间正比于介电常数的平方根，因此碳化硅信号 延迟时间为氧化铝的二倍，这是它的缺点。可以