超深亚微米CMOS器件GIDL电流及可靠性的研究.pdfVIP

摘要 摘要 栅致漏极泄漏(GIDL)电流已经成为影响小尺寸MOS器件可靠性、功耗等方面 的主要原因之一，它同时也对EEPROM等存储器件的擦写操作有重要影响。当工 艺进入超深亚微米时代后，由于器件尺寸日益缩小，GDL电流引发的众多可靠性 理机制以及相关的可靠性阕题开展了深入和系统的研究。 论文首先讨论了电子隧穿半导体禁带的物理机制以及GlDL隧穿电流与栅漏 交叠区的电场之间的关系，研究了栅氧化层厚度和u)D区掺杂这两种因素对交叠 区电场的影响。 论文采取对称的方法研究了漏电压场和栅电压％对GDL隧穿电流的不同影 响。这一方法的思想是：固定％扫描％得到GDL隧穿电流转移曲线，固定％ 扫描％得到GDL隧穿电流输出曲线，并且转移曲线中的％和输出曲线中的％ 麴电压值棍等，这样魏实现了场秘％对称的条件。实验发现转移盐线上的GIDL 隧穿电流如与输出曲线上对应的GDL隧穿电流如之差D_，，，与漏栅电压‰的曲 线呈驼峰状。动阡反映了％和％对GIDL隧穿电流影响的不同，这种差别是因为 两种情形下的横向电场不一样，从而使得交叠区的硅中水平方向上空穴的隧穿产 生差别。在半对数坐标下，p舸峰值(D眦删)与P硗成线性关系。