《《薄膜材料的制备》》.pptVIP

* * 离子镀的特点 具有蒸发镀膜和溅射镀膜的特点 膜层的附着力强。 绕射性好，可镀复杂表面。 沉积速率高、成膜速度快、可镀厚膜。 可镀材料广泛，有利于化合物膜层的形成。 * * * * * * 主要内容 薄膜的制备方法,含: ---真空技术基础; ---PVD(真空蒸发、溅射、离子镀膜) ---CVD ---溶液镀膜法 典型的薄膜材料的制备 ---金刚石薄膜 ---ZnO薄膜 * * CVD的含义 化学气相沉积 CVD(Chemical Vapor Deposit）是一种化学气相生长法，把一种或几种化合物的单质气体供给基片，利用加热、等离子体、紫外光乃至激光等能源，在基片表面发生气相化学反应生成薄膜。 优点：可以任意控制薄膜的组成，从而制得许多新的膜材。 成膜速度快，每分钟可达几个μm，甚至数百μm。 * * CVD分类 按沉积温度： ---低温200---500℃ ---中温500----1000℃ ---高温1000---1300℃ 按反应室内的压力：常压，低压。 按反应器壁:热壁，冷壁。 按反应激活方式:热CVD、PlasmaCVD、激光CVD、超声CVD等。 * * 几种新的CVD方法 金属有机化合物CVD(MOCVD):用低温下能分解的MO作反应气。缺点：沉积速率低，缺陷多，杂质多。 激光CVD 电子回旋共振等离子体沉积