AlGaN%2fGaN+FP-HEMTs制造的.pdfVIP

摘要 摘 要 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件融经表现出了出色的微波功率性能， AlGaN／GaN HEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件。但是， 仍然存在两个闻题严重阻碍7其在徽波大信号领域的发展，一令电流崩塌，一个 是击穿电压。 HEMT器件采用场板结构对器件造成的一系列影响 本文即在此背景下对GaN 进行了研究，同时鉴于利用钝化工艺来抑制电流崩塌会引起器件击穿电压的下降， 研究并得出了采用场板结构能够有效地抑制电流崩塌。主要研究结果如下： l、研究了场板提高击穿电压的机理。 研究并说明了采用场板能够调制电场在近漏端栅边缘的分靠并减小电场强度 峰值，从褥提高器件击穿电压豹祝理，同时说明了影响击穿电压最重要的三个尺 寸参数与两个材料参数。 析。 研究并分析了二者在I．V特性，频率特性上的区别，说明了采用场板后在上述两方 面有略微的下降；研究并分析了有场板与无场板时HEMT器件的电场分布，说明 了采用场板后，的确能调制近漏端栅边缘的电场分布并在场板边缘处出现一个新 的峰值从而降低了