Ga掺杂ZnO闪烁粉体制备及其发光性能的研究.pdf

Ga掺杂ZnO闪烁粉体制备及发光性能研究 摘要 Ga掺杂ZnO闪烁材料由于其在室温条件下近紫外激子发射峰荧光衰减 时间短和高的光输出性能，非常适合在X射线、丫射线及0t粒子探测方面应 用。本论文采用不同的实验方法制备了ZnO．-Ga粉体，并且研究了粉体的 发光性能，探讨了不同制备方法、不同形貌ZnO：Ga粉体对发光性能的影 响。 论文采用沉淀法制备了不同形貌ZnO粉体，以碳酸氢铵为沉淀剂，二 水合乙酸锌提供锌源，获得的ZnO粉体呈现六棱棒状结构。以尿素为沉淀 剂，二水合乙酸锌提供锌源，用氨水调节溶液的pH值，聚乙二醇．2000为 改性剂，制备的ZnO粉体形貌变为花状结构，这是由于ZnO前驱体溶液中 六棱棒状结构向纺锤状结构转变。花状结构ZnO粉体的光致发光谱图表明 不同棒状结构组成的花状ZnO均在380nm处存在近带边发射峰。 本论文还讨论了不同Ga掺杂量对ZnO粉体形貌及发光性能的影响。以 已制备好的ZnO形貌为基础，通过掺杂不同量Ga制备了ZnO：Ga粉体。 貌由六棱棒状结构、片状结构向颗粒状结构转变。室温光致发光谱表明：随 中掺杂不同量Ga时，通过X射线衍射分析结果看出ZnO：Ga粉体均为六 图谱表明随着Ga掺杂量的增大，ZnO粉体形貌由六棱棒状组成的花状结构 向纺锤状棒状组成的花状结构转变，当Ga掺杂量达到3at％时，ZnO粉体呈 片状结构。透射电镜图谱表明Ga掺杂量的增大，会使得ZnO：Ga粉体由 单晶结构向多晶结构转变；室温光致发光谱表明随着Ga掺杂量的增大， 的紫外发射峰的相对强度为室温下发光强度的12倍，6．5k时发光峰的中心 结果表明：在氢气气氛中Ga掺杂量为1％时发光性能较好，近紫外发光峰 的相对发光相对强度是未经退火处理的ZnO：Ga粉体发光强度的2倍左右， 在空气气氛中退火对发光性能并无明显的影响。 最后，论文主要探讨了不同制备方法对ZnO-Ga粉体发光性能的影响。 采用溶胶—凝胶法制备的ZnO：Ga粉体形貌为厚度大约为0．3pm的片状结 构，室温光致发光谱表明不同Ga掺杂量氧化锌粉体均存在近带边紫外发光 性能，并且经过氢气退火之后其发光性能有很大的改善。将高温固相法制备 的ZnO：Ga粉体采用不同的混料方式混合后，对其发光性能进行研究，研 究发现：采用球磨方式混料时ZnO：Ga粉体发光性能较好。通过对比溶胶 —凝胶法，沉淀法及高温固相法对ZnO：Ga粉体发光性能的影响发现，采 用湿化学法制备的粉体紫外发光性能较好，高温固相法制备的粉体材料中由 于晶界较多因而相对发光强度较低。 关键词：氧化锌，镓掺杂，棒状结构，花状结构，发光性能 Ⅱ ANDoPTICALPRoPERTIESOF PREPARATIoN PoWDER SCINTILL』蛆IoN Ga．DOPED ABSTRACT been in ZnOScintillationmaterialshave applieddetectingX-ray, Ga．doped ofshort tineand at and because output y-rayalphaparticles decay hi曲licit wereused the room different methods tostudy temperature．Thepreparation ofZnO：Ga inthe