a～100sr和zr丰中子同位素的研究.pdf

lIIIE I Ul II IIIII lil IIl ＼1804393 A～100区Sr和Zr丰中子同位素的研究 摘要 A~100丰中子核区核结构的研究取得了很大的进展。实验上，通过测量重核自发裂变 或诱发裂变产生的顺发Y谱，得到了很多该丰中子核区核素的高自旋态信息。A,-一100 丰中子核区远离p稳定线，价核子开始填充99／2质子轨道和hilt2中子轨道。在该质量 区域，核结构对于组态的单粒子能级的占据非常敏感，其能谱性质随着中子数和质子 数的变化而快速变化。从loo丰中子核区具有一个显著特征，即Z=40的满壳效应， N=56的亚球壳层和N≥60核区的基态大形变。从另一方面讲，该核区出现的核结构 现象也是检验各种模型的试金石。 所以，基于该区域核结构现象的最新发现，本文用投影壳模型方法对SrZr轴对 好地再现了实验。而且，通过对基带与准粒子转动带之间的带交叉现象，对晕带生成 各准粒子带所做贡献的比较，以及运动学转动惯量与转动角频率平方之间关系的分析 这三方面的进一步研究，得到了以下一些十分有意义的结果。首先，对于Sr，zr丰 中子同位素核的低激发能谱，在低自旋部分，核的形变主要决定于基带的性质，即依 赖于0准粒子内禀态。换句话说，0准粒子内禀组态中包含了丰富的影响核形变的信 息。第二，随着自旋的增大，靠近费米面附近的高j闯入轨道上的中子对和质子对会 发生破缺。于是，基带和准粒子转动带之间会发生带交叉现象。相应地，运动学转动 惯量也会随着自旋发生一定程度的改变。与此同时，我们也分析了核中出现的正负宇 称边带的内禀结构，发现这些低激发形变带主要是位于N=4和N=5谐振子壳层上的 v3／2+[41 因。另外，高K低能边带的出现为我们进一步研究同核异能态也提供了一定的参考 价值。 关键词：投影壳模型；晕带；边带：准粒子转动带 ， ● l t II THESTUDYOF NEUTRON．RICHISOTOPES0FSRANDZR IN A--100I也GION ABSTRACT the of Recently,with efficient as development large-scaley-detector arrays，suc