大功率碳化pin二极管击穿特性的模拟研究.pdfVIP

摘要 摘 要 与硅材料相比较，第三代宽禁带半导体碳化硅材料具有更高的禁带宽度、更 高的热导率和更高的载流子饱和速率，使得碳化硅PiN二极管能够更好地应用于 高温、高频和高功率场合。碳化硅PiN二极管具有大正向电流、高击穿电压、低 漏电流以及高开关速度等特性。 电场集中效应是造成平面型碳化硅PiN二极管反向击穿电压难以达到P．n结理 想击穿电压值的主要原因。平面结终端技术可以有效缓和主结边缘弯曲区域的电 场密集，提高击穿电压。 本文围绕如何提高碳化硅PiN二极管的击穿电压开展模拟研究工作，取得的主 要成果如下： 一、根据碳化硅PiN二极管的工作机理，结合模拟仿真结果，研究了碳化硅 电压降K大约为2．84V。采用双层p+区结构可以改善器件正向特性，模拟结果显 0．2V，有效减少了器件本身的功耗损失。 二、针对本文采用的器件结构参数(理论击穿电压约1900V)，不采用任何结 终端技术的碳化硅PiN二极管击穿电压只有1200V左右，采用结终端后(场板、 场限环和结终端扩展)，击穿电压可以提高到1700V以上。总结了场板参数、场限 环参数和结终端扩展参数与器件反向击穿电压的关系。 复合平面结终端技术。应用场限环辅助场板技术时，场板尖角峰值电场可以得到