对二氧化铪料中缺陷所致磁性的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘要 为解释Cocy等人在实验中发现的Hf02的磁性的问题【l】’【2J，本文对HfD2 体材料和(110)面薄膜材料中的原子缺陷(氧空位缺陷)和电子缺陷(带正电 荷的体系或带负电荷体系【3】)对材料的电子结构和磁性性质的影响进行了计算 和讨论。 在Hf02的体材料中，必须要氧空位缺陷和电子缺陷同时作用才能导致局域 磁矩的产生。氧空位的作用在于使材料中残留两个电子，这两个电子在禁带中 产生缺陷能级，并分别以上自旋和下自旋的方式填充到这个缺陷能级上。由于 这时上下自旋态的电子填充数相等，此时材料不具有局域磁矩。在带正电荷的 体系情况下，由于满足Stoner模型【4】中的自旋劈裂条件，本该同时填充一个上 下自旋电子的缺陷能级发生自旋劈裂，而由于带正电荷的体系使体系缺少一电 子，从而较高的那个缺陷能级未被占据。上下自旋电子的占据数不同，在材料 中引起局域磁矩。而在带负电荷体系情况中，在原来的导带底位置上出现一个 新的能级，被捕获的电子以自旋向上的方式填充这个能级，同样产生局域磁矩。 在(110)面的薄膜中，单纯的带正电荷的体系或者带负电荷体系都可单独 地在价带或导带产生上下自旋数目不等的电子填充，从而在材料中产