对单电子器输运特性的理论研究.pdfVIP

摘要 对单电子器件输运特性的理论研究 理论物理专业 研究生：代珍兵 指导教师：李玲 摘要实际应用中，单电子器件的电流输运精度和灵敏度决定着器件性能的优 劣，因此对于单电子器件输运特性的理论研究就显得十分重要。 本文首先概述单电子器件的发展历史和现状、单电子器件的两种基本结构 和几种常见的硅基单电子器件、器件的制备和加工工艺，以及纳米电子学领域 中的应用前景。然后，综述单电子器件的基本原理，库仑阻塞效应和量子隧穿 效应，以及单电子器件的两种数值模拟方法。其次，以电荷耦合器件(CCD器 件)为例，介绍在动态误差机制下的隧穿电阻、隧穿几率以及占据态几率的计 算方法。 第三章详细讨论了温度对电荷耦合器件中的隧穿电阻和隧穿几率的影响。 温度低于7K时，隧穿电阻随外加门电压变化呈非线性增加。随着温度的升高， 隧穿电阻值减小，电子进入和离开量子岛的几率增加。由于温度的升高使得电 子的热运动能量增加，破坏库仑阻塞效应，使得量子岛上的电子数目不再稳定。 该工作温度下，可以适当提高外加门电压，使其重新满足库仑阻塞