对称耦合量点中类氢杂质态的性质研究.pdfVIP

Yj|；|i。爸lIji剃攀 摘要嬲1燃 近年来，宽禁带半导体异质结材料由于其在光电子器件方面的显著应用，已 经引起了人们的广泛关注。本论文在有效质量近似的理论框架下，采用变分法研 点中类氢施主杂质态的性质。 本文首先简要介绍了半导体材料以及量子点的相关知识，同时也展现了ZnO 基和GaN基量子点中类氢杂质态的研究现状。紧接着介绍了11．VI族和III．V族 化合物，特别讨论的是ZnO基和GaN基化合物的有关性质。在此也较为详细的 分析了纤锌矿结构材料中存在的应变和极化现象，以及由自发极化和压电极化所 引起的强内建电场。随后给出了纤锌矿对称ZnO／MgZnO应变耦合量子点和闪锌 矿对称InGaN／GaN多量子点中的杂质态理论模型。最后列出了论文中具体的数 值计算结果，并且分析了相关的物理原因。 数值计算结果表明，在纤锌矿对称ZnO／MgZnO应变耦合量子点中强内建电 场的作用下电子波函数围绕量子点中心有一个分对称的分布。此外强内建电场也 造成当杂质位于左量子点时相应的施主束缚能比较大。并且在左量子点的中心位 置施主束缚能会得到一个最大值。当杂质位于中间垒层和右量子点中时，施主束 缚