氧化物半导材料的分子束外延生长及其光电特性研究.pdfVIP

摘要 以ZnO为代表的氧化物半导体材料的研究是目前国内外非常感兴趣的课题， 自从1996、1997年陆续报道了ZnO薄膜的室温光泵浦紫外激射、及其应用前景， 对ZnO材料的研究迅速在全世界范围内展开，研究领域覆盖广泛，包括ZnO体 材料生长、薄膜生长及特性的研究，能带工程的研究，发光器件、探测器件的研 制等等。ZnO被认为是目前在紫外波段最有可能取代GaN的一个体系之一，ZnO 为II-vI族直接带隙氧化物半导体材料，与GaN具有相近的晶格常数与禁带宽 度，通常为纤锌矿结构，六方相，其晶格常数为3．25A，ZnO的激子束缚能高达 温禁带宽度为3．37eV左右。本文将主要就以下几个问题开展研究工作： l、采用分子束外延先进设备生长高质量的ZnO薄膜，并且对ZnO薄膜的 生长及特性进行了分析，具体包括结晶质量、光学性质的测试与分析。 2、本文将借助反射光谱与调制反射光谱，利用ZnO的自由激子在磁场中劈 裂行为来研究ZnO价带结构的对称性，从实验上确证这个问题，这对以后器件 的深入研究铺好了理论基石。 3、对于ZnO基发光器件的研究，本文主要以CdZnO薄膜材料为代表的三 元化合物开展研究工作，通过适当调节CdZnO中Cd与Zn的比例，将发光波长 由紫外