硅表面氧吸、扩散及硅氧团簇形成的理论研究.pdfVIP

中文摘要 硅表面氧吸附、扩散及硅氧团簇 形成的理论研究 凝聚态物理专业 研究生杨冲 指导教师杨春教授 摘要．二氧化硅可作为钝化层来保护硅的表面，也适用于器件相互之间的 隔离，还可在器件内部形成电容器，并且Si02／Si界面非常稳定，具有可控的电 学性能。但在一些硅基器件中，硅片表面被氧化形成的Si02影响了硅基器件的 物理性能，因而，有关硅表面氧化结构的组织形貌、微观结构、形成机制、化 学成分以及物理性质等情况的研究引起了人们的极大兴趣。近年来，硅表面氧 化的研究工作主要集中于制备、形貌结构、氧化动力学和应用研究展望等方面， 但精确的硅表面氧化结构、氧在硅表面的吸附扩散过程等仍不清楚。硅表面氧 化体系的表面结构和性质十分复杂，并与各种外界因素相关，通过实验方法无 法获得更精确的表面微观结构，给实验研究带来了一定的困难。通过计算机模 拟可以对一些实验无法直接观测的量进行计算，补充实验研究的不足。因此， 采用理论计算深入研究硅表面的氧化结构和性质是一种十分重要的研究方法。 本论文主要是运