硫属相变存器cram的存储元结构设计及优化.pdfVIP

中文摘要 硫系化合物随机存储器CRAM利用电流脉冲的热效应使其存储物质——硫 系化合物发生具有巨大阻值差异(3～5个数量级)的可逆结构相变(晶态和非晶 态)来记录和读取数据。它具有元件尺寸小、功耗低、可多级存储，制作工艺简 单等优点。此外，该存储技术与材料带电粒子的状态无关，从而具有很强的抗空 间辐射能力，能满足国防和航天需求，是目前国内外重点研制的新型存储器。 在CRAM的研究过程中遇到的最大问题便是操作电流过大，不能与现有的 CMOS实现电兼容，另外CRAM工作中产生的大量热能会影响CMOS的正常工 作，因此存储元与CMOS的热兼容问题也成为CRAM走向实用化的制约因素。 针对以上问题，本文根据CRAM的工作原理与特点，从CRAM存储元的热 传导模型出发，利用数值方法模拟并分析CRAM存储元中的热场分布及其演化 过程，着重考察数据重写时CRAM存储元在电流脉冲作用下的发热对CMOS电 路的热影响和相变材料的相变情况。 设计出具有两层GST材料的“工”型存储单元，实现了存储元与CMOS的 热兼容。通过分析传统存储元结构的热场发现相变材料GST具有很好的隔热性 能，于是在底电极和加热层之间插入一层GST，一方面利用GST的隔热性有效 阻止加热层产生的大量热量向