电极、界面饰对pr0.7ca0.3mno3及zno薄膜电致电阻效应的影响.pdfVIP

摘 要 随着科技的飞速发展和人们生活节奏的不断加快，每年都产生大量的信息，其中有 大量的有用信息需要存储起来，因而对存储器的要求越来越高。新兴的电阻式随机存储 器以其结构简单、读／写速度快、存储密度高、低功耗、与COMS工艺兼容性好等优势 而受到人们的青睐。目前RRAM还处在实验室研究阶段，有很多性能有待研究与开发。 压的均匀性和疲劳性仍存在诸多问题，因此难以满足实用化的要求。本论文针对RRAM 研究的热点，选择具备阻变存储性能的Pro．7Cao．3Mn03和ZnO薄膜进行研究。 1、在PCMO薄膜材料的阻变存储性能研究中，首先以Pt做底电极，制备多种活性 顶电极，研究不同活性金属顶电极对其存储性能的影响。通过阻变测试中各种性能的比 较，最终选择活性金属Ti做顶电极材料。在此基础上，采用室温下导电且与PCMO结 TiOx层变厚，增大PCMO薄膜的电阻转变比率，改善其保持性，提高其疲劳特性。 弥散，正负交替的电脉冲激励下电阻转变疲劳性很差，其原因主要是ZnO薄膜中导电 细丝通路的形成和断裂非常随机，不易控制。本论文针对ZnO薄膜在阻变过程中转变 电压不均匀、保持性和疲劳性差等问题，利用脉冲激光沉积技术人为地在底电极n与 颗粒对ZnO薄膜阻变性能的影响。在底电极Pt与转变层ZnO之间添加不易氧化的金属 Ag纳米颗粒后，降低了导电细丝通路的随