电极修饰对机场效应管性能影响的研究.pdfVIP

摘要 由于具有工艺简单、良好的柔韧性、适合低温、低成 有机场效应晶体管(OFET) 本和大面积制造的特点以及在电子器件上有着巨大应用潜力而受到广泛关注。近年来， 随着大量致力于获得高性能OFET的研究，OFET已经发展到非晶硅器件的水平，被广 泛应用于柔性显示驱动、智能卡、检测器、电子报纸等领域。通常，为了提高OFET性 能，除了选用良好的有源层材料、选择合适的器件结构外，电极的修饰也是器件性能提 高的一个重要因素。因此，选用合适的电极修饰层，是OFET性能提高的一种有效途径。 本文首先综述了OFET近几十年不同的发展阶段，存在的问题及主要应用领域，介 绍了制备OFET所需的有机半导体材料和常用结构，阐述了载流子的注入与传输机制。 针对目前OFET的发展趋势以及存在的问题，围绕选用过渡金属氧化物V205修饰 电极来提高OFET的性能开展了以下工作： 接触电阻，提高了空穴的注入，实现了OFET性能的提高。 机场效应晶体管(AOFET)。该构型器件与未修饰器件相比，呈现出典型的双极型晶体管 传输特性。器件性能改善的原因主要是由于插入V205修饰层后，可以明显降低A1电极 与Pentacene之间的接触势垒，提高了空穴的有效注入，从而使电子和空穴的注入接近 平衡。 后，器件实