硼纳米管的口效应和cutan界面的结构模拟.pdfVIP

。 摘 要 随着计算机的迅速发展和计算材料学的进展，材料的计算机模拟与设计已经广泛地 应用予-材料科学的研究之中。本文基于第一性原理计算，研究了如下两部分内容：硼纳 米管的端口效应和Cu／TaN界面的结构模拟。 1．硼纳米管的端口效应 硼的晶体具有密度低、熔点高、超强硬度、高化学稳定性等特点。近年来，关于硼 纳米管和一维纳米结构高电导率的理论预测，激发了人们的兴趣。迄今为止，关于硼纳 米管、纳米线、纳米带和纳米锥等一维纳米结构的研究取得了长足的进展。人们预期， 硼的一维纳米结构将成为下一代纳米器件(如高温半导体器件、场效应管、场发射以及 超导纳米器件等)的核心组件。 论文以课题组提出的一类新颖的硼二维结构为基础，构造了一系列的“戴帽”硼纳 米管。端口“帽子”是“橄榄球状”B60富勒烯的一半。本文计算了硼纳米管的优化结 构的单点能、电子态密度、HOMO．LUMO能隙值和平均键长等性质，对它们的结构、 稳定性和电学性质等方面进行了分析。 对于这类“戴帽”的新型硼纳米管的主要计算结果如下：1)平均每原子的结合能 随着长度的增加单调递减：2)随着长度的增加，量子尺寸效应的影响逐渐减弱，它们 的HOMO．LUMO 硼纳米管