等离子体源子注入过程中离子动力学演化数值模拟.pdfVIP

等离子体源离子注入过程中离子动力学演化数值模拟 摘要 SourceIon 等离子体源离子注入(Plasma 线性低温等离子体材料表面的改进新技术。这项技术一经提出，就引起了国际上的普遍 关注。在这项技术的实际应用过程中，等离子体鞘层的时空演化过程以及真空中气压参 数的影响对等离子体与材料表面的相互作用有着非常重要的意义。 in 本文首先利用两维PIC(particlecell)模型，通过鞘层中电势分布的泊松方程， 考察了等离子鞘层中随时间变化的电势分布和离子密度分布规律，离子在鞘层中的运动 轨迹和运动状态；得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布和工 件表面各点注入离子的入射角分布。结果表明：由于电场的聚焦效应，容器内表面的离 子注入剂量总是低于外表面的离子注入剂量，内表面的离子注入剂量随着鞘层演化增加 缓慢，内、外表面注入剂量差异随时间逐渐增大，这样就导致了离子注入剂量非常不均 匀。 本文再次利用Monte Carlo计算机模拟技术，考察了有共心附加零电位电极时半圆 容器内底中央部位彳，注入能量和角度分布及真空气体压强的影响。在考虑到离子在穿 越鞘层