锗硅核壳型米线器件量子输运性质的实验研究.pdf

摘要 摘要 本论文针对锗硅核壳型纳米线这种新型半导体材料中的空穴输运性质进行 了低温下量子输运性质的实验研究。主要侧重于两个方面：一是通过实验测量 弱反局域化来探讨锗硅核壳型纳米线中的各种驰豫机制以及自旋轨道耦合相互 作用；二是通过测量由超导材料做源漏电极的量子点器件来探讨锗硅核壳型纳 米线量子点中能级结构与其旁边电极中超导态的相互作用。 本论文的主要内容有： 1．简单介绍论文中涉及到的与锗硅核壳型纳米线磁输运性质相关的物理概 念。 2．简单介绍了本论文中所涉及到的样品器件在加工过程中需要用到的微纳 米加工仪器、工艺和技术，并详细介绍了光刻、电子束曝光等重点工艺的 技术技巧。然后对本论文中所用到的样品和器件的加工流程做了细致的介 绍。 3．从实验角度，研究了普通金属材料做电极时单根锗硅核壳型纳米线中空穴 的弱反局域化现象。并由相应的理论拟合出了空穴输运过程中各种驰豫机 制对应的特征量，更重要的是得到了此材料中自旋轨道耦合的强度。并发 现这些特征量和自旋轨道耦合强度都可由实验可控参数调制。 4．研究了源漏电极为超导材料的锗硅核壳型