高in组分ngansi薄膜太阳电池的制备工艺研究.pdfVIP

高h1组分InGaN／Si薄膜太阳电池的制备工艺研究 摘要 随着传统能源的枯竭和环境问题的恶化，作为可再生能源的太阳 能已经在近几年取得了突飞猛进的发展，太阳能光伏发电等新型可再 生能源将以更快的速度成为以煤、石油、天然气为主的传统能源的重 要补充。但现有光伏组件中80％以上均采用Si材料，且生产工艺大 多继承自集成电路的制作工艺，造成生产成本过高，成本偿还周期过 长，在很大程度上阻碍了光伏产业的发展。 本文着重阐述的hlGaN材料是一种新型太阳电池材料。为了能 够制作h1GaN材料的太阳电池，本文对hGaN材料制备过程中所遇 到的有关问题进行了研究，主要包括如下几个方面的工作： l、本研究针对在硅衬底上沉积h1GaN薄膜的情况，引入了TiN 和AlN缓冲层。探讨了采用激光分子束外延(L．MBE)设备，在抛 光的单晶硅片上沉积TiN和A1N缓冲层的各项最优参数。主要对薄 膜的生长速率、结晶质量、表面形貌等和衬底温度、脉冲激光的能量 密度、脉冲频率等工艺参数之间的关系进行了研究。研究表明，N2 OHz， 气分压为一1Pa，衬底