cdse探器晶片表面处理和钝化研究.pdfVIP

四川大学硕士论文 CdSe探测器晶片表面处理和钝化研究 凝聚态物理专业 研究生：钟雨航 指导教师：朱世富 CdSe属于II．Ⅵ族化合物半导体材料，具有较高的平均原子序数，晶体密 可在室温下工作；载流子迁移寿命积(啪较大(7．2x10-4 体制作的探测器在室温下有较高的探测效率和能量分辨率。同Hgl2、CdTe相比， CdSe有较好的化学稳定性和机械加工性能。这些特点使得cdse成为制作室温 探测器和光二极管、光导摄像管靶、光电池的良好光电材料。然而在器件制各 过程中，晶片表面易产生损伤层、划痕及结构缺陷等，会严重影响器件的性能。 所以晶片制备过程中，晶片的表面处理对最终器件的性能有着重要的影响。然 而，关于CdSe晶片表面处理工艺尚未见文章报道，因此本文就CdSe的表面处 理工艺进行了较为深入的研究，主要内容如下： 采用传统气相法法生长的CdSe单晶体质量比较差，晶体的完整性低、存 在组分偏离化学配比和电阻率低等问题，不能满足制作CdSc室温核辐射探测器 的要求。我们采用垂直无籽晶气相提拉法(vuvG)生长出成分均匀、完整性好、