cvd法采teos-olt;,3gt;沉积二氧化硅膜.pdfVIP

摘 要 摘 要 本文采用常压化学气相沉积法 以TEOS与O为前驱物 于低温下在单晶硅 3 片表面上沉积了二氧化硅膜层 通过分析不同温度 不同硅酸乙酯流量 不同 O与TEOS的比率 研究了包膜的试验条件对成膜质量的影响,并找到了较好的成 3 膜条件 并对膜层的致密性能进行了检测 结果显示:在反应室温度为大约 400 时,沉积的膜层性能较好 优选的O与TEOS比率至少应大于4时,沉积的膜层 2 性能较好 论文的完成对改善材料的稳定性能,拓宽材料的应用领域有重要的经济和现 实意义 关键词 CVD二氧化硅 沉积 硅酸乙酯 I Abstract Abstract SiO