fe基宽带ⅱ-ⅵ族稀磁半导体及fese异质结构的生长及特性研究.pdfVIP

摘 要 自旋电子学是凝聚态领域的一门新型交叉学科，具有丰富的物理现象和巨 大应用价值。目前。有两类这种新型材料得到了广泛重视：一类是稀磁半导体 (DMS)材料；另一类是铁磁／半导体异质结材料，由于这两种新型材料能够 将传统的半导体和磁性材料融合以期开发出新一代的自旋电子器件，所以正日 益受到科技界和工业界的瞩目。 本论文针对上述两种新型材料研究领域的热点和难点，具体对ZnFeS、 Zr正eO和FeSe等材料的制备和表征进行了研究，取得的主要结果如下： (1)利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备制备出不同Fe组分 的ZnFeS合金薄膜。通过X射线衍射测量表明当Fe源的流量小于6ml／min时， 样品为六角的单晶结构：当Fe源的含量大于6ml／min时，样品为多晶的立方结 构。此外，随着样品中Fe含量的增加，样品的光学带隙明显变窄，并且由于 Fe．S键的结合能大于Zn-S，导致光电子能谱中S2p向高的束缚能侧移动。 (2)在不同的温度下对一系列ZnFeS样品进行热氧化，发现在800℃下退火 得到的ZnFeO样品，其结晶质量好于其它温度的样品，并在室温下在ZnFeO 样品中观测到其铁磁性。此外，当Fe的含量为O．25时，达到了Fe在Zn0中溶 解度的