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AI InN材料的生长及其紫外LED的研制 摘要 外与可见光区域，因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景， 其中采用GaN材料制作的器件已经在发光器件、激光器、光探测器以及高频和大功率 电子器件中获得了广泛应用，但对于GaN基中三元合金材料A1InN，目前国外与国内 合金材料，目的为了研究材料生长过程中出现的物理与化学问题，为今后器件的制备 提供科学依据。 本文对三元合金材料AIinN生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通 过理论设计并优化外延片结构参数，生长出了发光波长在338nm紫外发光芯片，目前 国内还没有这样的报道。并获得了如下有创新和意义的研究结果： 1：通过建立LED三维网络模型对流过GaN基LED的有源区电流分布进行了理论 研究，结果表明不仅电极的分布位置影响电流大小与电流的分布均匀性外，材料的结 构参数也会影响器件的发光特性。 2：研究了In和Al流量变化对合金中In组份的影响，此结果表明：在相同温度 和压强的生长条件下，In流量变化对合金中In组份影响不大，但Al流量变化对In 组份影响很大。 3：研究生长温度对AIInN外延材料中ln的组份影响，此结果表明：随着温度的 增加，