alganan hemt器件场板结构的特色设计.pdfVIP

摘要 lIlll l lUIllIllUl l l ll 摘要 GaN基HEMT以其优异的特性，在大功率、高温和高频应用领域中备受人们 关注。尽管AIGaN／GaNHEMT器件有很多优势，但是电流崩塌以及击穿电压仍 然是阻碍其输出功率进一步提高的主要因素。而场板技术的出现，很好地解决了 这两个问题，极大地提高了A1GaN／GaNHEMT器件的微波大功率特性。 本文设计并研究了不同场板结构对A1GaN／GaNHEMT的影响及其特性分析。 主要研究结果如下： (1)深入研究了场板对A1GaN／GaNHEMT的影响。 (2)用Silvaco．ATLAS对场板结构AIGaN／GaNHEMT中电场分布进行仿真。 从而验证了场板结构能够提高击穿电压理论的正确性。 (3)设计了浮空复合型场板结构，并从理论和仿真方面与无场板结构HEMTs 以及源场板结构HEMTs进行比对分析，给出了浮空复合场板结构的优化规律。 HEMT的特性进行分析，结果表明 (4)对浮空复合型场板