inas自织量子点的光学性质研究.pdf

摘要 摘要 由于半导体量子点具有零维电子特性，它不仅成为基本物理研究的重 要对象，也成为研制新一代量子器件的基础。正因如此，量子点材料及器 件成为目前国际上最前沿的研究课题之一。GaAs基InAs自组织量子点因 其成本低廉、器件工艺成熟，成为替代InP基材料、制备光纤通信用1．3— 1．559m发光激光器的热门材料之一。本文采用分子束外延技术制各了高质 子点材料光学性质的影响，取得了以下主要结果： 量子点相比，引入mo．1Gao9As应变层，可以有效地释放量子点中的应变， 使量子点的密度显著增大。当lnAs淀积厚度较小时，量子点连在一起，形 成了具有强烈耦合效应的量子点串结构，这种结构的变化导致量子点PL峰 强烈红移，室温发光波长达到1．3pm以上。 2．首次系统研究了量子点发光寿命与量子点的密度、尺寸以及温度变 化的关系。发现在温度低于50 K时，量子点的发光寿命基本不随温度变化； 高于50 K，发光寿命随着温度升高首先增加，温度升高到某一特定温度Tc 后，开始减小。我们认为，量子点发光寿命同时由内在因素和外在因素决 定，其中