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CdTe多晶薄膜的制备及后处理研究 凝聚态物理专业 研究生夏庚培 指导教师郑家贵教授 CdTe具有良好的光电学性质和化学性质，因此成为制备高效率、低成本的 多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。然而，制备高效CdTe／CdS多晶薄膜太阳 电池的关键之一是要获得高质量的CdTe多晶薄膜。于是，本文针对CdTe薄膜， 研究了其制备工艺和后处理条件对薄膜结构、光电学性质及CdTe太阳电池性能 的影响： 系统研究了源温度．衬底温度，环境气压与沉积速率的关系：用XRD．AFM 等测试分析手段，研究了在不同气压下沉积的薄膜结构的变化；通过Hall效应 的测量，计算了CdTe多晶薄膜的电阻率，载流子浓度及迁移率与温度的关系。 分析得出，较高的沉积气压下较为合适的沉积条件为：衬底温度540～580℃， 源温度630℃，此时的沉积速率为l～1 49in·rain一，薄膜均匀、致密：结晶状 况较好的衬底上沉积的CdTe薄膜质量较好：刚沉积的CdTe薄膜晶格常数随沉 积气压升高变大。Hill效应测试表明，CdTe多晶薄膜的电阻率随着温度的升高 呈单一下降趋势。在