l-mbe制备zno薄膜及zno-tft器件研究.pdfVIP

摘要 摘 要 Zn0是一种宽禁带直接带隙半导体材料，它具有比GaN更高的激子束缚能，容 易实现室温紫外受激发射，在白光二极管、短波长激光器等领域潜力极大，因而 成为近几年半导体领域的研究热点。随着研究的深入开展，人们发现ZnO是非常 优异的光电材料，具有高光学透过率、生长温度低、击穿电压高、抗辐射能力强、 电子饱和漂移速度高等优点，所以，最近国外已经开展了以ZnO为沟道层的场效 应晶体管的研究工作。值得注意的是，这种场效应晶体管制备温度较低，对衬底 材料要求不高，而且可以制作成全透明的薄膜晶体管，因而预期在薄膜晶体管液 晶显示(TFT—LCD)中会有更加出色的表现。在这样的研究背景下本论文开展了一 下几点工作： 备了商质量的Zn0薄膜，优化了制备工艺，主要研究了后退火处理对薄膜结晶质 量、表面形貌、发光特性、透过率、光学带隙、电阻率等方面的影响。研究发现 退火处理能有效释放薄膜中的应力、提高薄膜结晶质量：改善薄膜的发光性能， 在500Cili火处理过的Zn0薄膜PL谱中几乎看不到深能级发光现象；提高了薄膜 的光学透过率；增大了薄膜的电阻率。这样高质量Zn0薄膜的制备为实现Zn0光 电子器件的制作打下了基础。 2