ni-al膜的制备与热敏性能研究.pdfVIP

摘要 Ni-Al薄膜是一种很有发展前景的热敏薄膜材料。本论文用双靶 SPAT对Ni-Al薄膜的表面形貌、组分、显微结构和缺陷进行了表征 和分析；用标准四探针测试仪对薄膜的电学特性进行了研究，用自行 设计的TCR测试系统对Ni—舢薄膜的热敏特性进行了研究。主要得 出以下结论： 采用双靶磁控共溅射方法，通过调节Ni靶和～靶功率，制备出 了满足预期成分要求的Ni—Al热敏薄膜，薄膜的表面致密、平整，表 明双靶磁控共溅射是制各N■Al热敏薄膜的有力手段。薄膜结晶良 好，有(111)择优取向，晶粒为纳米量级；热处理使得薄膜的晶化 程度加强。薄膜缺陷分析表明，Ni_舢热敏薄膜主要以Al反位缺陷 为主，薄膜的表面层很薄，中间层缺陷浓度低、分布均匀；热处理之 后薄膜的缺陷降低。对于含氧合金薄膜，晶化程度相对较差，热处理 膜晶格更严重的畸变。 热敏薄膜的电阻特性测试结果表明，薄膜的方块电阻随着溅射功 率的增加变小，在N2保护下经快速热处理之后薄膜的方块电阻值有 较大的增大。薄膜的电阻_、温度系数测试结果表明，热敏薄膜样品的 电阻值比较小，电阻随温度的增加呈线性增大，表现出了金属导电的 特性，对比热处理前后热敏薄膜测温性能的变化，发现热处理使得 Ni_Al薄膜的TCR值都有不同程度的减小，然而含氧的热敏薄膜样 品却发现了TCR值增加的现象，进一步理论分析表明，此时薄膜中 A1203的出现起决定性的作用。优化工艺参数，制备了综合性能优良 的Ni．m薄膜，在25N200℃内电阻随温度变化呈线性增大，电阻一 温度系数为2．06x100／K，线性度小于士2．7％，最大迟滞误差不大于 5．2％，表明可以用Ni—舢薄膜来制作高精度薄膜温度传感器芯片。 关键词 Ni-Al薄膜，磁控共溅射，电阻温度系数，快速热处理，热 敏特性 ABSTRACT N“～lminfilmisa asthermal material resistor．Inthis promising dissertationNi_Althin-filmswere direct depositedusing current(DC) fromNiandAI ofthefilms magnetron targets．111eintegrity CO·sputtering and theirelemental wereassesseda electron compositions usingscanning with microscope(SEM)equippeda11．energydispersivespectroscope ofthethin·filmswascharacterized (EDS)analyzer．Themorphology by atomicforce SEM．Themicrostructuresof microscope(AFM)and andannealedfilmswereidentifieda as．deposited usingX-ray defectsofthethin—filmsweredetected diffractometer(XRD)．The by SlowPositronAnnihilation