zno薄膜生长特性及掺杂研究.pdf

摘要 摘要 近年来，ZnO材料以其在短波长发光器件、压电传感器、透明导电极、太阳 能电池以及表面声波器件等领域的广泛应用，吸引着人们越来越多的关注。Zn0 具有3．37eV的禁带宽度，与同为宽禁带半导体的GaN相比，ZnO具有更高的激 子束缚能、更好的稳定性以及更低廉的制备成本，这些优势使得最近10年来对 ZnO的研究日益升温。 同时，我们也注意到当前制约ZnO发展的一个难题，那就是稳定的可重复的 p型ZnO的制备。尽管最近几年人们在ZnO的p型掺杂方面取得了很多进展， 但是距离实际应用尚有一定的差距。同时，对于未掺杂ZnO的理论研究，包括 生长条件、缺陷类型以及发光机理等问题还缺乏足够深入的探索。基于上述背景， 本论文围绕着材料生长、结构形貌、光电特性以及p型掺杂等方面，开展了一系 列工作，具体可分为如下几个方面： 1．在磁控溅射设备上制备了高取向的ZnO薄膜，研究了衬底温度、生长气 氛和溅射功率等参数对薄膜结构和形貌的影响，在优化的生长条件下实现了Si 基Zn0薄膜的高质量生长；利用变温PL光谱，详细分析了未掺杂ZnO薄膜在 低温下的光致发光特性，确认了各发光峰的来源；计算的结果表明，低温下占主 导地位的中性束缚激子复合发光很可能来自于H杂质。 2．研究了热退火对ZnO薄膜结构和光电特性的影响。透射和吸收光谱的测 量表明，8000C下氧气退火能够有效地提高薄膜的可见光透过率和光学带隙；XPS 分析发现，退火后薄膜中的O空位明显减少，薄膜组分更符合理想化学计量比； I—V特性测量表明，ZnO／Si异质结在退火之后具有更好的二极管整流特性。因 此，适当的后期退火能提高ZnO薄膜的光学和电学性能。 3．研究了A1203过渡层对ZnO薄膜结构形貌和发光特性的影响。XI①和 GⅨRD的结果表明，过渡层的引入能有效地减小ZnO薄膜与Si衬底间的失配， 使得ZnO薄膜中的应力充分弛豫；AFM表面分析可以看出，过渡层上生长的 ZnO薄膜粗糙度明显降低，更趋向于二维平面生长模式；比较PL光谱发现，过 渡层能够增加ZnO薄膜的激子复合几率，提高其紫外发射强度。这些结果表明， 摘要 ～203过渡层大大提高了Si基生长ZnO薄膜的晶体质量。 4．采用热氧化法制备了znO：N薄膜，分析了后期退火温度对掺杂薄膜结构 形貌和光电特性的影响，发现N在掺杂薄膜中有施主和受主两种状态，通过退 火温度的变化，可以控制N受主的形成；通过ZnO：N薄膜的变温PL光谱，计 膜有转化成p型的趋势。我们的结果为进一步获得p型ZnO材料提供了理论依 据和宝贵经验。 关键词：znO，退火，过渡层，光致发光，N掺杂 ABSTRACT ABSTRACT iIlterestforitswide in 111 has substantial recent applications years，Zn0gained films， shon conducting deVices，piezoelectricsensors，transparent wavelen舒hphotoIlic cellsaJldsu血ceacousticwave withanotherwide sok deVices．Compared bandgap hasa exciton semiconductor ene玛y，betterstability柚d