β相氮化硅料的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 氮化硅材料的第一性原理研究 凝聚态物理专业 研究生潘洪哲 指导教师徐明 运用局域密度泛函理论可将多电子系统转化为单电子系统，由此对各类半 导体材料和金属材料的结合能、晶格常数、体变模量做计算得到了与实验符合 很好的结果，使之成为近年来电子理论中的一项重要的成就。在密度泛函理论 的框架下，出现了很多算法，常用的有基于原子轨道线性组合的紧密束缚法 来的研究凝聚态物质的各种物理性质的第一性原理理论越来越受到人们的关 注，再加上目前大型、高速电子计算机的应用，使得第一性原理在计算和设计 材料方面的优越性也显得越来越突出。 氮化rr圭(Si3N4)具有许多特殊的优越性能，是一种应用前景广阔的陶瓷材料， 已广泛应用于微电子、光电子领域。人们对氮化硅研究做了大量的工作，但主 要集中在用各种化学气相沉积的薄膜制各上，而且很多工作在实验上目前还难 以实现，只能借助计算机用第一性原理方法进行计算和模拟。目前对氮化硅材 料的电子结构和光学性质的第一性原理研究较少，特别是碳掺杂的氮化硅材料 的第一性原理研究更少。 本论文工作重点讨论了超软赝势平面波方法在氮化硅材料研究中的应用， 主要工作包括以下两个方面： 的电子结构和光学性质进行了计算，交换关联能函数分别用了局域密度近似 摘要 所得晶格常数、能带结构等计算结果均与实验符合较好，运用GGA计算得到的 们还进一步计算并分析了高压下D—si3N4的电子结构和能带结构的变化情况以 及光吸收系数、禁带宽度随外压力的变化规律，为B．si3N4材料在高压情况下的 应用提供了理论参考。 光学性质和电子结构。对引入碳杂质前后电子结构的异同以及价键的一些性质 I 进行了对比分析发现：c所带正电荷为0．43比任何一类Si原子都要小，C．N 键共价性最强；由于杂质碳的引入，价带宽度展宽，导带宽度和禁带宽度均变 窄；态密度出现了几个新的峰，平均峰值有所减小，峰值减小约5电子／eV。通 关键词：第一性原理、半导体材料、赝势平面波方法、密度泛函理论、氮 化硅、碳掺杂 Abstract First of materials principlesstudyp-Si3N4 Matter Major：CondensedPay7sics Postgraduate：PanHong—zheSupervisor：XuMing functionissuitableforthemulti—electron Density by theory system asingle—electron suchas constants、 system，Theparametersbindingenergy、lattice bulk modulescalculated fimction and density ofsemiconductormetal by theory materialshave to shownbein withthe results．As