pdlt,ngt;、pdlt;,n-1gt;s团簇与al掺杂gan致使蓝移现象的第一性原理研究.pdfVIP

河南大学理论物理专业2005级硕士论文2008．6 中文摘要 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理量子化学方法，对小团簇P也和 P山．，S的几何结构和电子特性及Al掺杂纤锌矿GaN导致的蓝移现象进行了研究。 和Kohn．Sh锄方程，其次介绍了两种交换关联能的处理方法及密立根布局数分析， 接着介绍了能带计算的两种方法即全电予近似方法和赝势法，最后介绍了本论文中 所用到的两个计算软件(castep和Dmol3) 第二章，首先对团簇的基本概念及性质进行了简单的介绍，然后我们用密度 的几何结构和电子性质，对于团簇P山，研究表明随着团簇P山的尺寸的增加，其结 构由二维转变为三维，而且逐渐转化为密堆积结构；从团簇能隙的大小、二阶能量 了的研究，发现当n7时团簇的磁矩为零。对于团簇P“，S，几何结构可以在团簇P山 的结构上面取代或是添加一个S原子而得到；对结合能，二阶能量差分和 向S原子转移。 势的方法，对纤锌矿GaN的Al掺杂问题进行了理论研究。我们选用的超晶胞为 8／8。 2×2×1，Al的掺杂量为1／8，2／8，3／8，4／8，5／8，6／8，7／8，给出了Al掺 杂量不同时GaN晶体的晶格常数、能带结构、态密度等．通过分析得出结论：Al 子云重叠程度降低，从而导致Ga的4s态向高能端移动，致使带隙变宽，发生蓝 移现象。 关键词：密度泛函理论团簇Dmol3Al掺杂GaN CaStep i 河南大学理论物理专业2005级硕士论文2008．6 ABSTRACT IIlthis the electronic of paper，weinVestigategeometric柚dpropeniesPd甩(n≤15)锄d andthe aboutblue-shiR、】l枉ch inme Pd玎．，S(门_2—10)clustersphenomena h印pened GaN methodsbased byAl-dopingusingfirSt—principlesquantumchemis仃y densi够 fhnctional maincontentsare asthe theo巧(DFD．The presentedfollowings： ln introducethebaSic of 1，we Chapter prieRly conceptdensity允nctionaltheory． neoremof ist11e如ndaIIlentofDFTaIldis to Hohenberg—Kollll deVeloped canbeusedto realcalculations．Newco盯ectionsand equation，which perfom extensions， with havemadeDFTmore togetherdeVelopedexchange—collrelation如nctionals， accurate锄dsuitableformore theendofthis introducesome