plzt纳陶瓷制备及掺杂改性研究.pdfVIP

摘要 摘要 性能的透明铁电陶瓷，在电场作用下，呈现很好的电光效应和光致伸缩效应，广泛 应用于光开关、传感器、驱动器等领域。要得到透明的PLZT电光陶瓷，粉体的制 各是关键，目前的粉体制备技术中存在晶粒大、易团聚等缺陷，限制了PLZT的发 展，所以PLZT的纳米制备技术的突破将带来PLZT透明电光陶瓷的广泛应用。 本文采用改良的共沉淀方法和水热合成方法合成了PLZT纳米陶瓷。 在共沉淀制备PLZT陶瓷中，采用H202作催化剂，聚乙二醇和乙醇混合水溶液 为分散剂，pH=9．6可以使四种金属离子共沉淀，并保持了等化学计量。共沉淀物 nnl。陶瓷粉体在助熔剂下，经预烧 PLZT陶瓷粉体为纯立方相结构，粒径大小为92 和1100℃常压烧结后得到了致密的PLZT纳米陶瓷。借助正电子湮没对不同L矿+掺 杂量的PLZT陶瓷的微观结构和缺陷进行研究，发现随掺La3+量增加晶格常数变大， La3+量为9％时阳离子空缺最大，缺陷数最多。用精密阻抗分析仪对陶瓷的介电性 达到了4997。 在水热法制各PLZT陶瓷中，运用正交试验方法，得到最佳的制备条件为：KOH Ilffl。陶瓷粉 进行表征，结果表明，PLZT陶瓷粉体为纯四方相结构，粒径大小为80 体在助熔削下，经预烧和108012常压烧结后得到了致密的PLZT纳米陶瓷。用精密 阻抗分析仪和准静态d33测量仪对陶瓷的介电性能和压电性能进行测试。结果表明， pC-N1，机电耦合系数Kp0．5。 最后，选取具有显著压电性能和光致伸缩性能的PLZT(4／53／47)为研究体系， 摘要 谱研究发现，Sb3十含量的增加有助于PLZT的铁电相变，对介电、压电等性能有显 d33=563 pC-N1，kp0．58。 Sb3+掺杂 关键词：锆钛酸铅镧(pLzT)；共沉淀：水热合成；纳米陶瓷；电光陶瓷； Il Abstract as anexcellent PLZT(x／y／z))is [Pbl-,elooLax／,oo(Zry／looTiz，100)Ix／40003】(abbreviated ferroeleetricceramics．It excellent effectand transparent presents eleetrooptical au a effectunderelectric has of field．So，PLZT photostrictive varietyapplications and Powders includingelectroopticalswitching,sensordrivingmotors，etc．PLZT is tOobtainthe veryimpogant transparentelec自roopticalceramics．Large preparation sizeand