pld方法备n-znoi-znop-gan异质结led.pdfVIP

摘 要 质结发光器件的电致发光的调控作用。在此基础上，提出一种制备自光二极管的方法。 首先，为了研究设备的系统参数对薄膜质量的影响，我们在石英衬底上，在不同的 衬底温度，氧气压强等系统参数条件下，沉积了一系列ZnO薄膜。通过X射线衍射， 拉曼光谱，光致发光光谱等表征手段分析了相旋的系统参数对Z藏O薄膜结晶质量和光 学质量的影响。分析结果表明，沉积过程中的衬底温度和氧气压强对Zn0薄膜的质量 有很大的影响。当氧气压强大予80掰勖荭时，可以得到高度e轴取向的纤锌矿结构的 znO薄膜。当衬底温度为500。C，氧气压强为160mTorr时得至0的znO薄膜的结晶与 光学质量最好。 在此基础上，我们制备了p。G 原型器件。p区和n区的电极分别通过热蒸发N讥札合金和金属IIl制备。I。V特性测量 表明：电极均表现蠢很好的欧姆接触特性；异质结表现浅较好的整流特性。在一定的正 向偏压下，可以观察到器件的电致发光。p—GaN／n．ZnO的电致发光光谱主要是中心位于 电子，所以正向偏压下，载流子复合主要发生在p．GaN区，从而得到p．GaN的与受主 p．G 部分载流予的复合区转移到i．盈0层。通过调整i-z珏O层的厚度可以改变两个发光带积 分强度的比值，从而控制器件电致发光的颜色。基于此，我们提出了一种全新的，无需 使用荧光粉的剑各自光二极管的方法。 关键词：脉冲激光；光致发光；异质结；电致发光；欧姆接触 Abstract Inthjs focusedontheeaectsof i·Zn0 onthe dissertation，we se觚一msulatmglayer of heterostmcnlral electrol啪inescence p—GaN／i-ZnO／n—ZnO 1iglltemitting ￡lbricated laser on new towllite tllis，a approach bypulseddeposition(PLD)technique．Based diodeswas lighternjtting proposed． t0 ofZnO s甜es h1order eabctsof onthe films，a inVestigatesystempa艘netellsquality ofZnOfilmswere on血sedsilicasubstratesatVarioussllbstrate aIld deposited tempemtures pressuresbyPLD．X-raydi倚action(xIm)，R锄anspectra锄d oxygen wereutilizedt0 mee仃ectsof onthe a11d (PL)spectra a11a1)rze systemparameterscrystalline ofZnOfilms．Theresultsindicatedthatsubstr{lte aIld tenlperature opticalqualities oxygen the ha