pecvd长类金刚石薄膜的电学性质研究.pdfVIP

摘要 类金刚石膜(Diamond-likecarbon)，是一种非晶态的碳材料。由于具有许 多同金刚石相近的性质，类金刚石膜技术已经在很多领域得到应用。掺杂的DLC 膜作为一种半导体材料，其禁带宽度在1-4eV内可调，可以在太阳能电池、光 电探测器等光电器件领域得到应用。在现有的DLC电学性质研究中，DLC与金属 的接触采用Al，Au等金属，并假设DLC与金属的接触为欧姆接触，还没有发现 证实A1，Au与DLC形成欧姆接触，或者探索其他金属与DLC之间接触性质的研 究。 薄膜，选用CH4为源气体，NH。或BH。作为掺杂气体源，在硅片和石英基底上生长 了本征和多种掺杂的类金刚石薄膜材料。采用椭圆偏振、俄歇能谱、拉曼光谱、 原子力显微镜、皮安静电计等多种结构和光电探测手段研究DLC材料的生长规 律、材料结构、光电性质等特性。重点研究DLC本征和掺杂材料与A1、Au、Ni、 Ti、Zr等多种金属接触的电学性质。在本征和掺杂DLC薄膜上镀上不同金属电 极，形成MSM结构，测量I_v曲线，判断金属与DLC薄膜之间的接触类型；建 立了一个简化的测量电路模型，并计算薄膜的电阻率。通过实验证明上述金属与 DLC之间都形成欧姆接触。这个现象可以通过本征和参杂DLC材料的杂质能级月 前导电的机理来解释。 本文旨在通过对类金刚石薄膜的生长、表征及电学性质的研究，了解DLC薄 膜的导电机制，为进一步改变生长工艺实现DLC薄膜的有效掺杂打下基础。 关键词：类金刚石膜；拉曼；欧姆接触 Abstract Diamond-likecarbon an carbonmaterial． films(DLCfiIms)is amorphous As similarnatureswiththe carbon havingmany diamond，diamond—like hasbeen iedin fields．TheDLCfilmisakind technologyappl many doped ofsemiconductormaterials．ThebandofDLCfiImis between gap adjustable 1to4eV．Itcouldbeusedin devices assolar optoelectronicfields，such detectors．Inthe studies cellsand aboutthe photoelectric existing electrical ofDLC asA1and chosen films，metals，suchAu，were properties tocontactwithDLC a thatthecontactswereohmic． fiims，withassumption But confirmedthecontactsbetweenDLCfiimsandAuorA1were nobody ohmic， nor thenatureofcontactsbetweenDLCfilmsandothermet