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广西大掣嘎仕掌位鼬．文 Zr对Ni-^lJ【叠嘱阐删澹物中徽霸淞陷和电子状意的髟一 zr对Ni-AI系金属问化合物中微观缺陷和电子状态的影响 摘 要 本文建立了一套双高纯锗探头——二维多道符合技术正电子湮 没辐射多普勒展宽装置。用该装置测量的正电子湮没辐射多普勒展宽 谱的峰高与本底之比高于10s。对多谱线高能端进行分析，可提取原 子内层电子的信息。该技术对过渡族、稀土元素的d或f电子特别敏 感。 测量了过渡金属纯元素、含zr等元素的Ni-AI系金属阅化合物 的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱。从多普勒展宽谱中提 取金属及合金的d或f电子的信息，进而研究合金元素对金属间化合 物中微观缺陷和电子状态的影响。 纯元素的多普勒展宽谱表明：正电子与同一周期内的过渡金属中 较高动量芯电子湮没的几率随4d电子的数目的增加面增加。 测量不同zr含量和经不同温度退火前后的多晶Ni，A1合金多普 勒展宽谱和寿命谱。实验表明，多晶Ni，Al合金晶界缺陷的开空间大 于单空位或位错。多晶NizAl合金中加入zr元素，Zr原子容易偏聚 到Ni3AI合金的晶界缺陷上，当zr含量低于1．Oat％时，正电子与合 金中的d电子湮没几率随zr含量增大丽增加；当zr含量为1．Oat％ 时，达到最大值；当zr含量高于1．5at％时，Ni5zr相析出，相界面 广西大掌硪士掌位论文 zr对Ni-Al墨金属闰化古物中微观缺陷和电子状态的影响 增加，导致正电子与合金中的d电子湮没几率降低。不同温度热处 理对zr在多晶Ni3Al合金中的扩散影响很大，zr含量越高、退火温 度越高，在合金中Ni5zr相的析出量越多。第二相的析出使得正电子 寿命增加，合金样品的商谱峰高降低，合金中缺陷浓度增加。 在二元NiAI合金中，由于Ni的d电子与Al的P电子被局域化 形成强共价键，正电子与d电子湮没的概率较低，随少量第三组元 Zr、Nb、Mn、Ti原子的加入，能抑制最近邻Ni-AI原子对形成强 Nid．Al p共价键趋势，提高dod电子对相互作用，从而增加了正电 子与d电子湮没的概率。 关键词：Ni-AI合金正电子寿命多普勒展宽微观缺陷d电子 II 广西大掌硬士掌位论文 Zr对Ni-Al曩金属间化古物中徽现缺陷和电子状意的影响 OFZrONTHE EFFECTS MICRODEFECTSAND ELECTRONIC INNi叫U STATE INTER～Ⅱ!TAI，I，ICCOⅣ瞪IoIINDS ABSTRACT detectors-two TwoGe dimensionmultichannel analysersystem for coincidence of measuring Dopplerbroadeningspectrapositron has annihilationradiationbeenbuiltinthiswork．Withthis setup,the ofthe canbereduced We a backgroundspectrmn remarkably,andc觚get ratio to than of backgroudhigher105。The ofcoreelectron