二维声子晶的带隙结构和缺陷态研究.pdfVIP

摘要 本文通过对二维固体一固体、液体一液体型声子晶体模型的理论计 算，研究了组元物性参数和空间几何微结构对声子晶体带隙结构的影 响，并通过二组元体系中的空腔点、线缺陷，以及三组元体系中的缺 陷探讨了声子晶体中的局域化现象。主要内容如下： 首先，通过平面波展开将弹性波理论推广到了二维复合介质情 况，并具体推导了固体一固体、液体(气体)一液体(气体)型声子晶 体结构的本征方程，给出了插入体方柱按正方形和三角形排列、以及 方柱转动时的结构函数。 其次，利用平面波展开法研究了钨一环氧树脂和碳一环氧树脂所组 成的二维固体一固体型声子晶体的能带结构，对插入体方柱转动所引 起的带隙结构变化也进行了探讨，方柱的排列分正方形排列和三角形 排列两种情况。研究结果表明：带隙结构与材料的物性参数密切相关， 不同的材料组合形成的带隙不同；在相同的排列下，不同材料组合的 带隙宽度随填充率的变化规律基本相同；在相同的填充率下，方柱按 三角形排列较其按正方形排列时更容易得到宽带隙；插入体方拄的转 动对带隙的宽度也会产生影响。 再次，运用基于平面波的超元胞方法，研究了二组元水一水银和 四氯化碳一水银等液体一液体型声子晶体空腔点缺陷和空腔线缺陷的 带结构，以及缺陷柱填充率对带结构的影响。研究结果表明：水一水 银体系所形成的带隙明显比四氯化碳一水银体系的宽，且两者所形成 的本征缺陷态都是局域化的。因此，点缺陷可用作声滤波器，线缺陷 可用作声波导。改变二组元体系中的缺陷柱填充率，缺陷带的频率位 置和宽度都会随之变化。 最后，研究了四氯化碳／水一水银和水／四氯化碳一水银等三组元液 体一液体型声子晶体的带结构。其中，第三组元是以缺陷方式引入到 二组元体系中的。研究表明：在二组元声子晶体中引入第三组元点缺 陷／线缺陷后，原带隙(--组元体系)的频率位置、宽度改变不明显， 但会在原带隙中出现缺陷态／带；缺陷态／带的频率主要受第三组元材 料物性参数和几何参数的影响；改变第三组元缺陷柱的填充率，缺陷 带的频率位置和宽度都会发生改变。这些缺陷态也是局域化的。 关键词声子晶体，弹性波／声波，平面波法，超元胞，带隙，缺陷态 ABSTRACT Inthis influenceof and geometrical paper,the parameter physical microstructureof bandwas investigated phononiccrystal(PC)ongap by thetheoretical of and solid-solid calculating defect onthe or two-dimensional(2一D)phononiecrystals．Basedpoint lineardefectsin andthedefectstatesin two-componentsystem localization ofPCwasalso three-componentsystem,the phenomenon detailasfollowed： discussed．More