利用x射线收精细结构研究在闪锌矿（ga，mn）n中的mn原子的局域结构.pdfVIP

摘要 作者： 何博 Mn in 题目： LocalStructurearoundAtoms Cubic(Ga，Mn)N Structure ThinFilmsProbed Fine X·myAbsorption by 院系： 复旦大学物理系 导师： 张新夷教授 学位： 理学硕士学位 年份： 2005短 近年来，稀磁半导体由于它在自旋电子器件以及自旋半导体电子学、光电子学等方面的 应用前景，引起了理论和实验界的广泛重视。基于(Ga，Mn)As材料的铁磁性的发现，Zener 等人建立了模型对Mn掺杂OaN材料进行了理论上的预测，他们发现这种材料具有超过室 温的居里温度。大量的实验表明：这种很有前景的稀磁半导体材科Mn掺杂GaN的居里温 度不但依赖于磁性介质的浓度，而且取决于材料中空穴的浓度。因此，同时具有P型电导性 和高浓度的磁性介质对于自旋电子器件是至关重要的。而与我们的合作单位的研究成果已经 证实闪锌矿型(Ga,Mn)N是一种很有希望在室温条件下具有铁磁性的材料。 本文主要利用广延x射线吸收精细结构(EXAFs)和x射线衍射(XRD)方法对于闪 锌矿型(Ca，Mn)N薄膜样品从实验和理论两方面联合进行了研究。掠入射荧光EXAFS方法 详细研究了闪锌矿型(Ga,Mn)N的局域结构：Mn原予近邻各原子之间的键长、配位数等定 量信息。对于不同掺杂浓度样品的理论研究表明高浓度掺杂样品相对于低浓度样品有特殊的 第二相出现。这一结论在随后的XRD分析结果中得到了进一步证实。 在进行EXAFS方法研究以前我们对于Mn掺杂浓度分别为2，5％和10％的两个薄膜样品 (Ga,Mn)N进行了XRD方法的研究。XRD的测试结果表明两个样品都是单晶闪锌矿结构 (Ga,Mn)N，而且对两个样品的摇摆曲线的比较表明Mn掺杂浓度为10％的样品相对于Mn 掺杂浓度为2．5％的样品的摇摆曲线有明显的宽化。随后我们利用掠入射荧光EXAFS方法来 研究闪锌矿型(oa,Mn)N的局域结构。在对Mn掺杂浓度为2．5％的样品的X射线吸收曲线进 行了一系列的本底吸收校正、自由原子吸收的拟合与扣除、归一化等一系列处理之后，晟后 进行了理论拟合。拟合豹结果给出的掺杂原子Mn的定量和定性的局域结构信息表明Mn掺 杂基本上处于替代了Ga原子的位置，并且没有证据表明有其它相出现。对于闪锌矿型CaN 来讲，Ga原子第一近邻N的键长和配位数分别为1．93A和4；与闪锌矿型(Oa,Mn)N样品中 的增加正好与配位数的减少相对应。而在对第一、第二和第三近邻个配位层原子拟合结粟的 比较发现Debye．Waller因子随着配位层数的增加而增加。联系径向分部函数可以看出因为 Mn原子的掺入导致配位层原子缺失。这也为高浓度掺杂样品的分析提供了依据。在对Mn 掺杂浓度为10％的样品的X射线吸收曲线的分析过程中我们采用了理论模拟的方法·我们 在闪锌矿OaN结构基础上利用理论计算得到了Mn原子掺杂替位式，间隙式的x射线吸收 曲线以及Mn团簇的X射线吸收曲线。并且在k空间对于它们进行了多次线性叠加，最终 获得了与实验所得径向分部函数比较接近的模拟结果。结果表明，即使在高浓度的Mn掺杂 的情况下，大部分Mn原子仍然处于替代Ga原子的状态下；而与Mn掺杂浓度为2．5％的样 品不同，间隙式的Mn原子和Mn团簇在整个材料中占提了相当大的比例．丽这些占据了 GaN间隙位置的Mn和随机分布的Mn团簇将会对单晶材料产生剧烈的影响。而这种变化却 不足以使得单晶体解体。这一点可以从我们的XRD结果看出来，高浓度掺杂样品仍然是一 块单晶体。联系高浓度掺杂样品的摇摆曲线宽化，我们认为由于间隙式的Mn原子和Mn团 簇的存在使得单晶材料出现了镶嵌块结构，从面导致了摇摆曲线的宽化。我们对于不问浓度 于以后进行近边XAFS的研究有着重要的意义．