半导体量子中磁极化子的性质.pdfVIP

摘 要 本文采用线性组合算符和幺正变换方法，分别研究了半导体量子阱中强耦合磁极 化子的性质和考虑电子自旋情况下半导体量子阱中弱耦合磁极化子的性质。首先导出 了量子阱中强耦合磁极化子的振动频率、基态能量和盘陷能随回旋共振频率和阱宽 的变化关系，其次导出了电子自旋影响下量子阱中弱耦合磁极化子基态能量、声予平 均数和电子自旋能与基态能之比的绝对值随量子阱宽度、回旋共振频率和电子一体 纵光学声子耦合常数的变纯关系。 对于半导体量子阱中强耦合磁极化子，数值计算结果表明：在只考虑电子一体纵 光学声子强耦合情况下，当阱宽一定时，磁极纯子振动频率、基态能量和自陷笼隧回 旋共振频率的增大而增大；当回旋共振频率确定时，磁极化子振动频率和自陷能随阱 宽的增加丽增大，最后趋向于三维结果，两磁极化子的基态能量则随阱宽的增加褥减 小，且在阱宽取相对较小值时，表现出奇特的量子尺寸效应． 对予半导体量子阱中弱耦合磁极化子，数值计算结果表明：在考虑电子自旋影响 和电子一体纵光学声子弱耦合情况下，磁极化子声子平均数与电子自旋无关，而与所 选材料有关，且在阱宽确定时，随电子一体纵光学声予耦合常数的增大而增大；在耦 合常数一定时，随阱宽的增加而增大，最后趋于三维俸材料的极限；磁极化子懿基态 能量则与电子自旋有关，且在电子自旋影响下，被分为两支。在磁场回旋频率确定时， 它随电子—体纵光学声子耦合常数和阱宽的增加焉减小，且当阱宽较小时，量子尺寸 效应同样较为明显；在阱宽和耦合常数取确定值时，随回旋共振频率的增加而增大。 此外，通过对电子自旋能与基态能之比的绝对值进行数值计算，可以清楚地看出电子 自旋作用能否被忽略不仅Elj外磁场强度决定，而且由材料本身的性质决定。 关键词：无限深量子阱；线性组合算符；磁极化子；电子自旋 of in Semiconductor ThePropertiesMagnetopolaron Wells Quantum Abstract lll studied this the and paper,、哟have properties猷lhe strong-couplingmagnetopolaron the ofthe inthe caseof theelectron propertiesweak-couplingmagnetopolaronconsidering ininfinite wells linearcombinationmad spin quanamabyusing oi撼*Tator unitary transformation therelationsbetween method．Firstly,the thevibration frmu既cy,the state andthe ofthe in grounddlergy self-trappingenergystrong-couplingmagnetopolaron 缸hlfiriite wellwiththewellwidthandthe arc qua