多孔硅上固晶化制备晶硅薄膜的初步研究.pdfVIP

嫠蜘塞堂亟±堂僮论塞 摘耍 摘要 在石油和天然气价格不断上扬的今天，可再生能源(尤其是太阳能)的研究己成 为各国各大研究小组研究的重点。随着第三代太阳能电池一薄膜太阳能电池的深入研 究，要提高多晶硅薄膜太阳能电池的光伏转换效率，制备高质量的多晶硅薄膜是从本 质上解决问题的一个途径。 本文在制各高质量多晶硅薄膜方面做了些探索性的工作，薄膜转移技术为开发低 成本晶体硅薄膜太阳电池提供了一条崭新的道路，利用强度低的中间层(孔隙率商的 多孔硅层)的方法，在衬底和薄膜太阳电池之间，待制好薄膜太阳电池后靠机械应力 把薄膜太阳电池与衬底分离，这是一类较新的太阳能电池制备方法。 本论文正是以制备优良的多晶硅薄膜太阳能电池材料为目的，首先用电化学腐蚀 方法制备多孔硅，然后在多孔硅上沉积硅膜并进行二次晶化。 首先，本实验用电化学腐蚀法制备多孔硅，研究了腐蚀电流、腐蚀时间、和HF 酸浓度、温度对孔隙率的影响，以及多孔硅表面形貌的影响因素，进一步研究了多孔 硅的剥离。 研究发现：(1)多孔硅的孔隙率随着腐蚀电流密度的增加、腐蚀时间的延长、温 度上升、}Ⅱ浓度的减小而增加。但是要在一定范围内才有效，那就是保证不发生电 抛光；(2)电阻对多孔硅有很大的影响，电阻率大时不容易形成多孔硅层，只有电阻 率很小时才能形成均匀的多孔硅层；(3)由于多孔硅孔隙中的液体在自然气化挥发过 程中产生的巨大毛细应力，新鲜多孔硅样品表面在空气里基本变干后发生龟裂；(4) 增大多孔硅的腐蚀电流密度，使其大于多孔硅形成的临界电流，发生电化学抛光，成 功剥离了多孔硅层，多孔硅层在近紫外．可见光一近红外整个波段反射率都很低。 其次，以等离子体辅助化学气相沉积(PECvD)法在多孔硅衬底上制备了非晶硅薄 膜。为制备多晶硅薄膜，对多孔硅上非晶硅薄膜进行后续热处理，用固相晶化的方法 对非晶硅薄膜进行再结晶。研究了衬底、退火方式、温度、掺杂、时间对薄膜晶化的 影响。通过激光Ranlfln谱和X射线衍射仪(XRD)对热处理前后的等离子体化学气 相沉积(PECVD)法制的硅薄膜进行了分析。发现：(1)多孔硅上的硅膜晶化的效 果比石英上的好；(2)常规热退火样品的晶化比快速热退火的晶化好；(3)每个固相 晶化温度对应一个晶化最佳的时问；(4)升高固相晶化时的温度可以减少晶化时间； 超捌太堂亟±堂僮诠奎 擅叠 (5)掺硼的薄膜比本征薄膜晶化效果好，有利于薄膜的外延生长；(6)硅薄膜中的 H在退火时逸出形成翘皮，降低了薄膜质量。 关键词：多晶硅薄膜；电化学腐蚀；多孔硅：PECVD；固相晶化 Ⅱ 塑趟太堂亟主堂僮逾奎 △§§自型 Abstract Astheever ofoilandnnRilal renewable increasingprices gas．the energy solar and been more moreattention resources，especiallyenergy,have attracting thefurtherresearchintothethird solarcells-thinfilm internationally．With generation solar cells，fabricatinghigll filmsisamost qualitypolycrystalline