硅纳米线太阳能电池总结.docxVIP

PAGE5 / NUMPAGES5 太阳能电池的量子效率是指太阳能电池的电荷载流子数目与照射在太阳能电池表面一定能量的光子数目的比率。因此，太阳能电池的量子效率与太阳能电池对照射在太阳能电池表面的各个波长的光的响应有关。 外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)，太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的一定能量的光子数目之比。 内量子效率(Internal Quantum Efficiency, IQE)，太阳能电池的电荷载流子数目与外部入射到太阳能电池表面的没有被太阳能电池反射回去的，没有透射过太阳能电池的，一定能量的光子数目之比。 硅纳米线太阳能电池 基于硅纳米线太阳能电池的金属箔进行了阐述【foil - 铝箔】。此类设备的主要优点是讨论，通过光的反射率，电压，电流和外部量子效率数据一个单元的设计，采用薄非晶硅层上沉积形成的纳米线阵列P - N结。一个有前途的1.6 mA/cm2的电流密度为1.8平方厘米电池获得，并广阔的外部量子效率测定的最大值为12％，在690纳米。 “。2007年美国物理研究所。 近年来，一直存在一个显着的，复活在可再生能源系统的兴趣。太阳能转换特别感兴趣，因为是丰富的源。今天的绝大多数鈥檚商业太阳能电池模块是基于晶体硅，但有越来越多的薄膜的兴趣，所谓的第二代太阳能电池，以及第三代高效率/低成本太阳能电池，一些需要使用的纳米结构的概念。基于纳米线净重的太阳能电池是一种很有前途的阶级由于几个性能和光伏太阳能设备处理启用的利益，包括直接路径这样的几何形状所带来的电荷传输纳米结构。【photovoltaic - 光伏】 纳米线和纳米棒，定义中的应用这里有宽高比5:1太阳能电池已试图在几个设备的配置和材料系统。纳米线/棒功能的太阳能电池的最新展示已主要基于有机-无机混合材料或利用，如化合物半导体硒化镉。黄长发等人。作为electronconducting利用的CdSe纳米棒层孔导电聚合物基太阳能电池和生产效率AM1.5照射的1.7％。类似的结构已被证明为dye-sensitized使用二氧化钛或氧化锌纳米线，与太阳能电池效率范围从0.5％到1.5％.4,5这些结果，以及其他最近的研究表明，在纳米结构太阳能电池中使用纳米线增强电荷传输与其他非纳米结构太阳能电池相比的好处，纳米架构。在这里，我们目前全无机，大面积的太阳能电池概念基于硅纳米线提供具有相同或更好的性能，具有与薄膜太阳能电池相似行列条理透明硅 电池的潜力 我们自己算了一笔账，假设传统的半导体物理学（没有量子效应），和其他人，9表明，硅纳米线为基础的太阳能电池提供了一个15％-18％不等的顺序上的效率权利纳米线的规模和质量。【efficiency entitlement-效率权利】。它有可能形成P – N路口在高密度的纳米线表面的交界处，【a high density array-高密度阵列】，它已脱钩吸收的好处允许横向扩散，电荷传输的光少数载流子，其中大部分是PN结50鈥nm的距离，而不是很多微米的距离，在Si散装太阳能电池。此外，我们已经表明，光硅纳米线阵列的性能与那些有相同厚度的固体薄膜在整个光谱范围光吸收显着增加有明显的不同。硅纳米线，可以标准技术，如化学气相沉积技术【chemical vapor deposition(CVD)】合成，具有直接生长在低成本（例如，玻璃）和柔性金属箔基板的可能性。最后，使用的CVD生长的纳米线结构可能会产生与块状太阳能电池相比改善成本的电池，由于降低了材料消耗，（只有气体用于制造活性物质），也可与透明块状硅比效率。 图1显示的硅纳米线太阳能电池设计的示意图。图1显示典型的计划视图和横截面硅净重太阳能扫描电子显微镜细胞一个不锈钢制作？SS？陪衬。尽管重点这项工作是对电池的不锈钢基板上制造，我们有还编造了四净重degenerately掺杂硅太阳能电池基板用钛/铝背接触用于测试目的。设备制作开始先清洁的SS基板使用标准的溶剂，其次是溅射沉积100纳米厚Ta2N的薄膜。作为一个Ta2N薄film11纳米线阵列的电子背接触以及纳米线的生长过程中的扩散屏障。以下的沉积一个50- A -厚的金膜，催化化学气相沉积用人汽液固？VLS的？增长mechanism12，13是用来生长p型Si纳米线的直径为109±30纳米，长度？？16？M？带硅烷，氢气，盐酸，在650 trimethylboron14° C为30分钟。奈米线阵列，然后处理创建氧化介质隔离层在800℃，干氧环境，其次是旋转涂布光致抗蚀剂和局部的抵抗蚀刻回活性离子蚀刻。纳米线，然后蘸缓冲氧化层蚀刻？京东方？ 6