《北京大学历年真题-半导体物理》.pdfVIP

大题 解释、说明 Chapter 1 金刚石结构（2001 ） 金刚石结构的密排面（2003 ） Si 晶体结构和结合性质（2006 ） Chapter 2 （计算）Au 在Si 中产生双重能级（96、99） 直接、间接禁带半导体（00 ） （说明）Si、Ge、GaAs 能带特点（93、96、97、98） 等电子陷阱（97 ） v 半导体能带结构（07 ） （证明）E-k 关系（94 ） Chapter 3 （推导）二维电子气模型求模式密度、导带电子浓度表达式（93、 态密度有效质量（99） 96、05 ） 载流子有效质量（06 ） （证明）知n、p ，求n 、E 及n、p 与n 关系（03 ） 半导体的掺杂补偿效应（06 ） i i i 施主杂质及其电离能（07 ） 1 （图）n ，区分本征区、强电离区、弱电离区以及理由（01 ） T （推导）球形等能面抛物带求g （ ）（96、00 ） Chapter 4 ne2 影响载流子迁移率的因素 （06 ） （推导）s t （01 ） 动量驰豫时间（00 ） m 霍尔效应及在半导体中应用 （03 ） （计算）Fe 在Ge 中产生双重能级（98 ） 热载流子效应（06 ） （说明）霍尔效应及在半导体中主要应用 （93、98 ） （计算）GaAs 中含浅施主、深受主（97） 1 1 R 、R （说明） ，R 为何反比载流子浓度（94 ） ne np 1 （图）对ln s 曲线作相关说明（93） T Chapter 5 （说明）直接、间接复合及各过程影响因素，平均自由时间（05、 非平衡载流子的寿命 （06 ） 06 ） 爱因斯坦关系（94 ） 深能级通常是有效复合中心 （94、97、00