新型氮化物料与新结构大功率led研发.pdfVIP

摘 要 磁控溅射方法制备的GeCN膜具有一定尺度的晶体颗粒形状，表面较致密，不同晶向的 在N2气氛中退火对晶体质量影响不大，说明材料中有可能存在稳定的晶相和化学配比。 理论计算的结果显示GeCN混晶可能是一种宽带隙半导体材料，其晶格常数、带隙宽度 和能带性质随C的浓度变化而变化，说明由于C的引入，打破了原本Ge—N之叫的离子 键结合，引入了结合能更高的共价键。由于对GeCN三元混晶的文献报道很少，是种新 的材料，很多性质还有待进一步的研究与探索。本文开展的二【_+作为以后的研究打下了基 础。 参数指标达到了较高水平。芯片的电极设计采用新颖的树叶脉络形状，缩短了P、n电 极之间的距离，使电流更加均匀的注入到芯片中，提高了功率效率；n型沟槽设计截断 了光线全反射路径，使光线能从槽的侧壁射出，增大了出光效率。测试结果显示，lmill ×1 mm芯片的光通量接近2lm，光辐射功率在20～30mw之问。对比国内外其他单位的 研究结果，我们的芯片在光学参数和电学参数方面都达到了较高的技术水平，说明这种 助。 关键词：GeCN；树叶脉络形电极；型沟槽 Abstract The and GeCN havebeenresearchedand structure ofanovel properties ternary system inthis thinfilmsofGeCNondifferentsubstratesare developedpaper．The preparedby reactive onasinteredGeC in andXPSare N2．SEM magnetronsputtering target forstructuralcharacterizationofthefilms．TheSEMobservafiODSshowasmoothsurface of a onthe anduniformveinsonthesideGeCN means morphologytop films，whichgood andadifferent directionwiththesubstrates．TheXPS crystalquality crystalline analysis revealtheformationof networksthethree the complex among existenceofdifferentchemicalbondsintheGeCNfilmssuchas and Ge—C，Ge-N XPS demonstratesauniform inthefilmsandtheratioofatom depthprofile stoichiometry concentrationisabout5：1：1and3：3：1．Thereexistastable inthefilmsbecause may phase atomsindifferent shareasimilarchemicalenvironment，