ceo2复磨料的合成及其对硅晶片抛光性能的研究.pdfVIP

rII[IIIII Ill删 ㈣IIH[IIIlUI[[IIIIIIII Y2141 391 摘要 一 摘要 化学机捌 也光(CMP)作为目前唯一的全局平坦化技术，在ULSI的制备工艺 中起着非常重 要的作用。CMP的关键技术之一是抛光浆料，抛光浆料的关键技 术之一是磨举 立子。复合磨料集中各种单一磨料的优点，改善其缺点，将逐渐 成为CMP的‘个研究热点。复合磨料包含掺杂型复合磨料和包覆性复合磨料。 本论文探求了 最佳工艺条件，制备了优质的掺杂型二氧化铈复合磨料，并将其 应用于对单薛 圭、多晶硅、K9玻璃的化学机械抛光，探讨了提高去除速率的工 艺条件和原区 以CeCl3 为沉淀剂，采 j化学沉淀法制备了不同掺氟量的二氧化铈复合磨料，利用XRD、 SEM、粒度岱 李手段对其物相结构、表面形貌和粒度分布进行了表征，研究了 氟化剂、改怊 刚、沉淀温度、氟化剂的加入方式、焙烧温度等因素对二氧化铈 复合磨料粒徭 小的影响。结果表明：氟化剂为NH4F、掺氟量为7％、改性剂 为(NH4hS04、 沉淀温度为80。C、沉淀前加入NH4F、焙烧温度为1000。C时所制 备的二氧化鸟 复合磨料振实密度最小，振实密度约为0．689／cm3，粒径约为 350rim，粒子 ：球形且分布均匀。 将优化了 9二氧化铈复合磨料用于工件材料(单晶硅、多晶硅、K9玻璃)的 CMP实验，珂 寇了各种因素对工件材料CMP的MRR影响，采用原子力显微镜 和扫描电镜双 霉了抛光表面的微观形貌，并测量了表面粗糙度。结果表明：掺 氟量为7％、笏 定温度为80。C、焙烧温度为1000。C l}句MRR最大；添加(NH4)2S04 比,(NH4)2HPO。 |勺MRR大；氟化剂在沉淀之前加入比之后加入的MRR大；MRR 随着pH的增：而增大(K9玻璃pH为8时的MRR大)；MRR随着压力的增大 而增大；MRR 直着浆料中氢氧化铈质量的增加而减小；MRR随着焙烧时间的延 长而增大；抛 ：后的工件材料表面超平整，无划痕。 关键词：化学 l械抛光；二氧化铈复合磨料；材料去除速率 I ABSTRACT Chemicalmechanical a polishing(CMP)isonlyglobal planarization technologY, an role plays inthe important of ULSI．The preparationprocess of keytechnologY CMPisthe of preparation