pecvd备多层氮化硅减反膜的工艺研究.pdfVIP

摘要 由于氮化硅薄膜具有良好的化学稳定性、绝缘性及优良的光学特性，在半导 体器件、微电子工业和太阳能电池等众多领域得到了广泛的应用。近年来，氮化 硅薄膜作为晶硅太阳电池的钝化减反膜引起了越来越多的关注。在晶硅太阳电池 的研究中，太阳电池的表面钝化和减反射一直是太阳能先驱研究的主题。太阳电 池正面发射结不仅要求表面减反膜具有优良的减反效果，同时也要求减反膜具有 良好的钝化效果，从而进一步提高晶硅太阳电池的短路电流、开路电压及光电转 化效率。 本文采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在多晶硅表面沉积氮化硅减 反膜，主要研究了其在N们／P+结构的多晶硅太阳电池中的钝化和减反射原理和 CellScan IPCE测试仪(Solar100)、3i balm太阳电池测试分选机 System (SE．A96C)对比分析了在多晶硅表面沉积单层和双层氮化硅减反膜的钝化效果 和减反性能。实验结果表明，双层氮化硅减反膜能有效提高多晶硅少子寿命，降 低多晶硅表面反射率，太阳电池电性能明显提高。然后对双层氮化硅减反膜的膜 厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及电性能进行分析，研究了工艺参数对双 层氮化硅减反膜的影响。研究发现，衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力 对氮化硅减反膜性能均有重要影响，提出了优化的双层氮化硅减反膜制备工艺。 最后，提出了在多晶硅表面沉积多层结构复合减反膜的探索性研究方案，希望对 以后在多种材料、多层结构复合薄膜的研究能有所帮助。 关键词：PECVD，氮化硅减反膜，钝化，工艺参数 AB STRACT nitride havebeen usedin Silicon coatings widely thefieldofsemiconductor solarcellbecauseofits chemical device，Microelectronicindustry,and advantageous and nitridefilmusedas opticalproperties．Recently,Silicon stability,insulativity filmof has antireflectivesiliconsolarcellsbeen concerned． passivation increasingly Inthe studiesonsiliconsolar solarcellsurface and pioneer cells，the passivation are the the of shortcircuit antireflection keysubjects．For always purposeimproving circuit and convertion solarcell current,openvoltagephotoelectric efficiency,the emitter surfaceantireflectionfilm、^，itllnot excellent positive requires only also e