二维sn和b基硫属化合物纳米结构的可控合成及其电化学能量存储性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 本论文通过选择合适的金属前驱物、硫源或硒源以及高沸点溶剂，利用简单 的非水体系化合或热分解方法，可控合成了一些二维(2D)Sn和Nb基硫属化 NDs、近单层SnSeNSs、超薄NbSe2NSs等。 盘(riDs)、六方混合相SnSe—SnSe2 所得2D晶体材料的组份、微结构和结晶情况等进行了表征和分析，并通过一系 列的条件实验探索了这些2D纳米结构的生长机制。在此基础上，研究了这些2D 晶体材料的电化学储能性能，并构建了一些全固态柔性超级电容器，取得了一些 有意义的结果。主要如下： (1)采用油酸(OA)作为溶剂和Capping试剂，设计了简单的固液相反应路 线，在230 SnS2NSs。一系列的条件实验表明，反应温度对最终所得产物的组份和物相有着 重要的影响。通过控制反应温度，可得到纯六方相SnS2NSs、混合相SnS2．SnSNgs 和纯正交相的SnSNSs。以这三种硫化锡作为活性材料，在6MKOH溶液中， NSs具有极高的质量 评价了其电化学储能性能。结果表明，所得纯六方相SnS2 NSs。 比电容和优异的稳定性，明显优于混相SnS2．SnS和纯正交相SnS (2)在油酸(OA)体系中，通过选择不同的硫源(单质硫、半胱氨酸)，可控 合成了不同厚度的SnS2 NSs(记为SnS2—1，SnS2—2)，用其作为活性材料，在碱性 介质中构建了超级电容器(SCs)，研究了SnS2NSs的厚度对电化学储能性能的 影响。结果表明，SnS2NSs的厚度越薄或层数越少，可大大增加表面电化学活性 位点，有利于提高储能性能。 (3)选择环境友好、高沸点的DMPU作为溶剂，采用SnCh固体和TOP．Se NDs、 BTBC间的相互作用，通过简单地改变BTBC的用量，可控合成了纯SnSe2 混合相SnSe—SnSe2NDs和纯SnSeNSs。据我们所知，这是首次实现相可控地合 NDs和纯SnSe 成2D硒化锡纳米结构。电化学测试表明，纯SnSe2 NSs的质量 比电容明显高于混合相SnSe．SnSe2NDs和近来报道的一些赝电容材料(e．g．G、 纯SnSe2NDs和纯SnSeNSs作为活性材料，进一步构建了两个堆积式全固态柔 性超级电容器：(1)SnSe2 出较高的面积比电容，优异的循环稳定性，接近或优于近来报道的G和3D GeSe2 摘要 纳米结构基固态装置。该工作表明，SnSe2NDs可作为一种有前途的活性材料， 用于构建高性能的、全固态柔性超级电容器。 (4)在油胺体系中，采用廉价的NbCl5固体和Se作为前驱物，BTBC作为还 原剂，通过控制前驱物的比例、反应温度和时间等实验参数，合成了厚度约为 3。4Ilrn的NbSe2NSs。条件实验表明，BTBC的引入对NbSe2NSs的合成至关重 要。保持其它条件不变，不加BTBC，得到直径约为30．60ilin的Nb2Se9纳米棒 (NRs)，表明BTBC不仅是还原剂，而且还是结构导向试剂，主要吸附在NbSe2 NSs 的(001)晶面，抑制了该方向的生长，利于得到2D纳米结构。以所得NbSe2 和Nb2Se9NRs作为活性材料，在6MNaOH电解质溶液中，比较了两者的赝电 环稳定性和电容保持能力，即使在循环1000次后其比电容仍能保持87．0％。该 工作表明，NbSe2NSs可作为有前途的活性材料用于构建高性能的电化学能量存 储装置。 关键词：Sn基硫属化合物，Nb基硫属化合物，二维纳米结构，相可控合