低能碳分子硅表面相互作用的模拟研究.pdfVIP

摘 要 类金刚石(DLC)薄膜具有硬度高，耐磨，化学惰性好等特性，在机械工具、 光学镀膜和高温电子器件方面有着良好应用前景，所以对它们的生长机制和合成 方法的研究一直是物理学及材料科学研究领域的重要内容。然而，由于薄膜合成 过程的复杂性，对于这种薄膜的生长机制还没有系统完整的了解。 实验上这种薄膜的制备方法有很多，其中包括弧光放电离子束沉积和激光脉 冲沉积(PLD)等方法。这些制备方法有一个共同的特点，即碳原子或碳团簇到达 衬底表面时的动能远大于衬底原子热运动的动能。最近的PLD实验表明较高的团 簇入射能量有利于DLC薄膜的生长。另外，人们通过超声波碳团簇束沉积实验 发现:入射能量较低时，形成的碳膜内部有很多大的孔洞。随着入射能量的增高， 薄膜的密度也随之增大。因此，我们对入射能量如何影响薄膜的性质怀有极大的 兴趣。 在本文中，我们改进了分子动力学模拟软件，用以模拟荷能碳团簇在硅表面 和金刚石表面的化学吸附以及DLC薄膜的合成过程。主要目的是研究沉积团簇的 初始能量对DLC薄膜性质的影响。另外，我们还用蒙特卡罗方法模拟了小碳分子 在硅表面扩散的过程。这是接触外延生长的关键。计算中采用了多体Brenner势 和Tersoff势分别描述C-C,Si-Si和C-Si原子间相互作用。我们的主要工作 和结论如下: 1()我们以飞秒激光脉冲沉积为实验根据研究了碳团簇的注入能量对沉积 的DLC薄膜性质的影响。我们选择C，作为沉积源，晶体硅作为衬底，入射能量 E,。从0.1到60eV。我们先用分子动力学方法对PLD生长DLC薄膜的实验过程 进行了模拟，分析了不同入射能量下生长的DLC薄膜的结构特征。结果与实验 符合较好，即较高的注入能量有利于生长致密的DLC薄膜。我们发现了在较低 的入射能量生长薄膜的过程中空位的形成以及相应的表面势垒影响高质量薄膜 的合成。为此我们设计了新的计算模型:选取了带有人为缺陷的金刚石(001卜(2 X1)表面作为衬底，先计算它的表面势场，然后以不同的入射能量沉积C。我们 观察到随着E,。的增加，表面原子反冲动能和迁移几率大大增加。当E;。为60eV 时，表面C原子最大反冲动能可达到8-12eV，远大于缺陷附近的表面势垒。这 表明随着E,。的增加，由碰撞引起的表面原子的活性对提高DLC薄膜的密度，增 加SP，含量起着重要作用。 (2)我们用运动学蒙特卡罗方法对C原子，C2分子在硅衬底上的表面扩散 进行了模拟，得出了它们在一定温度下的主要扩散模式。先是用分子动力学方法 计算了C,C2在 Si(001)一((2X1)表面上的吸附点以及相邻吸附点之间的扩散势 垒。然后计算了它们在每个吸附点的跳离几率和相邻吸附点之间的跳转几率。最 后用蒙特卡罗方法跟踪了它们的扩散路径。最终目的是想探讨表面结构和温度对 表面扩散的影响和C,C:分子扩散的最可几路径与所形成薄膜结构之间的关系。 我们希望我们的工作能够在研究DLC薄膜生长机制方面提供一些有用的信息。 这项工作还没有最终完成，正在继续中。 Abstract Therehasbeengreatinterestinsynthesizingandcharacterizationofdiamond-like carbon(DLC)filmsduetotheiruniquepropertiesofhighhardness,wearresistance, chemicalinertness,andpotentialapplicationasprotectivecoatings. Theprocessesemployedtoobtainsuchfilmsincludecathodicarc,ionbeam deposition,pulsedlaserdeposition(PLD),etc.Acommonfeatureofthesetechniques isthatthedepositionisenergetic,i.e.,thecarbonclusters(atoms)arriveontothe surfacewithenergysignificantlygreaterthanthatrepresentedbythesubstrate temperature.RecentinvestigationofPLDexperimentsshowedthathigheri