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具有氧化孔层的微腔半导体激光器的模式特性研究
摘要
摘要
本工作以矢量场模型出发，对具有诱人应用前景的柱形垂直腔面发射结构
(VCSEI，)的微腔半导体激光器(MCSI．)进行了理论分析，建立了用于分析方柱形
和圆柱形结构具有氧化孔径层的激光器的模式特性的理论模型：剥阋柱形结构情
况进行了数值模拟，得到了振荡波长、阈值增益随激光器内外半径、Bragg反射镜
层折射率、周期数以及氧化孔径层厚度、位置和氧化物折射率的洋细变化规律；
为使理论计算更接近实际，将外加金属包壳视为非理想导体，或将金属包壳与激
光器结构隔开，分别对这两种’N7％T的结果进行了讨论。所得结果为性能优越MCSL
的设计提供了重要的理论依据。
关键词：微腔半导体激光器；垂直腔面发射结构；氧化孔径；闽值增益
Abstract
Abstract
Inthis semiconductorlaser(MCSL)with
paper，micro—cavity pillarvertical-cavity
structure(VCSEL)whichhas in
surface-emitting potentialapplicationsoptical
communicationand interconnectis calcnlationmodel
optical theoreticallyanalyzed，the
thatusedtodiscussthemodal of columnarand
performancerectangular cylinder
VCSELwithoxidized isestablished VectorFieldModel．The
aperture byusing
numericalsimulationsinthecaseof structureshow and
cylinder oscillatingwavelength
threshold insideandoutsideradiusof refractiveindexand
laser，the
gainagainst layer
numberof andoxidizedmaterial’Srefractive
pair Braggmirror，thickness，position
indexofoxidized detail．More DOSshelloflaseras
aperture，in practically,considering
thatDOSshellis fromthe wecanobtain
one，or separated laseg
non—perfectsupposing
we inthework instructionfor
more results．What
significative give providesimportant
the ofMCSLwith
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