具有折皱界的低维电子系统性质的研究.pdf

具有折皱界面的低维电子系统性质的研究 摘 要 最近 随着现代微刻技术和高分辨测量技术的发展 具有附加调 制结构的低维表面系统已经成为了许多理论和实验研究的中心 因为 这些系统具有一些基本的物理性质和潜在的应用的前景 折皱横向表 面超晶格就是其中一类重要的低维结构 并且人们已经能够刻制出具 有高精确度和更多可调结构参数的横向周期结构 许多实验结果已经 显示出由于横向调制而产生的局域态 能带折叠 能带交叉和能带分 裂现象 对于外加的电场或磁场的调制 这些低维超晶格系统中的物 理现象也有着更敏感的变化 但是 在理论研究方面 由于在非平面 界面上的电子波函数复杂边界条件 对该类低维电子系统电子态的计 算需要很大的计算量 以至于一些通常采用的方法几乎不能应用于计 算体系更复杂的物理性质 为此 我们发展了一种坐标变换的方法来 简化这些边界条件 首先 我们为所要研究的系统引进一拉氏量L[] 根据变分原理 拉氏量的极值条件将会同时给出系统的哈密顿方程以 及必须满足的边界条件 经过坐标变换 原来非平面的界面就变成了 理想的平面界面 而相应地 系统拉氏量则可分解为简单平面界面系 统中的拉氏量L0 和由偏离平面界面的附加结构引起的有效势微扰项 L 实际上我们采用的坐标变换方法的优点就在于把非平面界面上 的边界条件转化为了更利于用数值计算方法处理的平面界面系统中 的有效势场 利用上述方法 在接下来的第一和第二章中我们计算了 折皱横向表面超晶格中的激子Stark 效应和回旋共振子带耦合 在第 三和第四章中计算了周期折皱金属表面上的像势态和表面等离子激 元 自从发现了量子阱中很强的量子约束Stark 效应 利用外加电场 来对低维系统的光吸收系数进行调制引起了人们相当多的注意 由于 i 这些性质可以被应用于设计高速和低驱动电压的光器件 人们希望在 折皱横向表面超晶格中激子的大量子约束Stark 效应会具有其独特的 性质 在第一章中 我们研究了 GaAs/AlGaAs 折皱横向表面超晶格 中的激子Stark 效应 由于周期折皱界面引起的激子质心运动量子化 使得光吸收谱中出现了新的几乎等距的吸收峰 这些吸收峰在外加电 场下作用下将会发生位移 吸收峰之间的间距也将随着外加电场增加 而变大 我们还计算了本征波函数的空间分布 并讨论了波函数的幅 度及其对称性对吸收峰的强度和吸收跃迁选择规则的影响 在第二章中 我们研究了GaAs/AlGa 折皱横向表面超晶格中的回 旋共振光吸收 其界面上的调制结构引起了回旋共振和子带间的耦 合 这就为利用回旋共振技术研究在垂直于二维系统方向上的子带能 级提供了可能 计算结果显示了共振吸收峰的分裂现象 以及共振频 率相对于无表面调制结构的平面界面二维系统中的共振频率的偏离 解释了实验中发现的共振吸收峰的宽度随着外加电场的增加而逐渐 变窄的现象 在第三章中 我们讨论了利用Bergman-Milton 方法来计算非平面 金属界面上的具有较高精度的表面像势 并且在表面不可穿透模型下 计算了具有周期台阶结构金属表面的像势态 计算结果显示了由表面 周期结构的散射引起的能带分裂和能带交叉现象 由于非平面表面结 构导致的最低能级像势态束缚能的降低的理论结果也和实验值符合 的较好 从像势态的波函数中可以看出 由真空中的表面像势和金属 表面上的表面势垒共同产生的有效势真正决定了像势态电子的几率 分布 通过计算光致激发跃迁矩阵元表明折皱金属表面上的最低能级 像势态的光致激发几乎和平面金属界面上的激发一致 而对于更高能 级的像势态 倒逆(umklapp)过程对光致激发的影响开始变得重要 导 致电子被散射到不同的方向 为了了解周期折皱表面对电子集体激发的影响 在第四章中我们 利用流体力学模型研究了周期折皱金属表面上的表面等离子激元 结 ii 果发现表面等离子激元振荡频率的色散结构具有子能隙的存在 由于 周期表面结构对等离子激元的表面模和体模之间的散射作用 使得原 来具有较高振荡频率的表面模不能继续存在 而将与体模发生耦合 转化成为体模 计算还发现即使在系统色散参数趋于零的情况下 表 面周期结构也将会引进有效的色散关系 破坏表面模振荡频率的简 并 在第五章中 我们利用Bergman-Milton 的有效介电常数的谱表示