典型半导体料的第一性原理研究.pdfVIP

摘要 典型半导体材料的第一性原理研究 凝聚态物理专业 研究生何开华 指导教师颜其礼姬广富 摘 要 运用局域密度泛函理论可将多电子系统转化为单电子系统，由此对各类半 导体材料和金属材料的结合能、晶格常数、体变模量做计算得到了与实验符合 很好的结果，使之成为近年来电子理论中的一项重要的成就。过去固体实验工 作积累了大量的实验数据，目前大型、高速电子计算机的应用，使得此理论的 优越性也显得越来越突出。能带理论的研究是从定性的普遍性规律发展到对具 体材料复杂能带结构的计算。在密度泛函理论的框架下，出现了很多算法，常 方法(LMTO)等等。本论文工作重点讨论了超软赝势平面波方法在典型半导体 材料研究中的应用。 本论文主要进行了以下三个方面的研究工作： 1、用基于密度泛函理论的平面波赝势方法，计算了在各向同性压力下闪锌 函数分别用了局域密度近似和广义梯度近似来描述。对这三种化合物的两种结 构分别进行了几何优化，得到了其平衡晶格常数和体模量。由总能和体积的曲 线得到了发生相变的压强和体积。另外，还发现在BN与BP、BAs之间存在三处 差异：第一、BN的硬度要比其它两种要高很多；第二、BN的带隙随着压力的增 大而增大，BP和BAs却有相反的趋势；最后一处差异是电子的转移方向不同， 在BN中B—N，而在BP和BAs中P—B、As—B。 摘要 2、运用密度泛函理论的平面波赝势方法(PWP)，加广义梯度近似(GGA) 和局域密度近似(LDA)，对BN、A1N和GaN三种氮的化合物的总能和电子结构 进行了计算，得到它们的弹性常数和体模量以及平衡品格常数，结果表明运用 GGA和LDA得到的晶格常数都与实验值吻合得比较好，而运用LDA计算得到的弹 性常数和体模量比用GGA计算得到的更接近实验值。另外还计算了这三种化合 物的带隙以及带隙与压力的关系。由于高压下光吸收性质性鲜有报道，本工作 对其也进行了探索研究。 3、运用密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，对替代 式掺杂钒的闪锌矿(ZnS)的超晶胞电子结构进行了模拟计算。研究了掺杂ZnS 的光学性质和电子结构，通过分析发现，光吸收的计算结果与运用配位场理论 得到的计算结果以及实验数据均符合得很好；同时还对引入杂质前后电子结构 的异同以及价键的一些性质进行了对比分析发现：杂质钒的引入，态密度出现了 几仑新的峰，并且本体能带向低能方向偏移了大约2．5ev，V所带正电荷为O．28 比任何一类zn原子都要小，S-V键的共价性最强，键长最短。 关键词：第一性原理、半导体材料、赝势平面波方法(PWP)、密度泛函理 论 Ahs衄ct Abstract widl function wc dealmulti—electron know,carl Density theory,as system were constants、bulkmodules energy、lattic single·electronsystem，Binding basedon functionofsemiconductorandmetalmaterials． presented density theory resultswereina wim calculation